2A(Ta) 단일 FET, MOSFET

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FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
SOT-23-3
DMN6075S-7
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Diodes Incorporated
77,535
재고 있음
1 : ₩512.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩104.70167
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
2A(Ta)
4.5V, 10V
85m옴 @ 3.2A, 10V
3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
606 pF @ 20 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1,081
재고 있음
1 : ₩557.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩115.62967
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
2A(Ta)
1.8V, 8V
185m옴 @ 1A, 8V
1.2V @ 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
100,759
재고 있음
1 : ₩632.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩133.74567
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
2A(Ta)
4V, 10V
300m옴 @ 1A, 10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V, -20V
330 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
PG-SOT23
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
29,595
재고 있음
1 : ₩738.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩160.47100
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
2A(Ta)
4.5V, 10V
80m옴 @ 2A, 10V
2V @ 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
27,328
재고 있음
1 : ₩753.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩162.16767
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
2A(Ta)
4V, 10V
117m옴 @ 1A, 10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
280 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
UFM
3-SMD, 플랫 리드(Lead)
SOT-23-3
DMN2230UQ-7
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Diodes Incorporated
18,864
재고 있음
429,000
공장
1 : ₩858.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩186.08167
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
2A(Ta)
1.8V, 4.5V
110m옴 @ 2.5A, 4.5V
1V @ 250µA
2.3 nC @ 10 V
±12V
188 pF @ 10 V
-
600mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
157,520
재고 있음
1 : ₩873.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩195.49367
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
2A(Ta)
4.5V, 10V
140m옴 @ 2A, 10V
2.7V @ 250µA
3.8 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 50 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 변형
BCV27
FDN340P
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
onsemi
57,802
재고 있음
1 : ₩904.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩204.25800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
2A(Ta)
2.5V, 4.5V
70m옴 @ 2A, 4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
779 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCV27
FDN327N
MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
onsemi
39,522
재고 있음
1 : ₩904.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩205.95967
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
2A(Ta)
1.8V, 4.5V
70m옴 @ 2A, 4.5V
1.5V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
423 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 155°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3300U-7
MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Diodes Incorporated
1,361
재고 있음
1 : ₩904.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩199.57467
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
2A(Ta)
1.5V, 4.5V
150m옴 @ 4.5A, 4.5V
1V @ 250µA
-
±12V
193 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCV27
FDN360P
MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
onsemi
25,219
재고 있음
1 : ₩979.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩223.25767
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
2A(Ta)
4.5V, 10V
80m옴 @ 2A, 10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
298 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 155°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
30,198
재고 있음
1 : ₩1,069.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩242.49333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
2A(Ta)
3.3V, 10V
300m옴 @ 1A, 10V
2V @ 1mA
-
±20V
150 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SOT-363
MIC94052YC6-TR
MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6
Microchip Technology
9,062
재고 있음
1 : ₩1,144.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩922.37600
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
6 V
2A(Ta)
1.8V, 4.5V
84m옴 @ 100mA, 4.5V
1.2V @ 250µA
-
-6V
-
-
270mW(Ta)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-70-6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT223-3L
IRLL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Infineon Technologies
41,766
재고 있음
1 : ₩1,355.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩292.32320
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
2A(Ta)
4V, 10V
140m옴 @ 2A, 10V
2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±16V
230 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
TO-243AA
2SK3065T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Rohm Semiconductor
1,798
재고 있음
1 : ₩1,702.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩490.28200
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
2A(Ta)
2.5V, 4V
320m옴 @ 1A, 4V
1.5V @ 1mA
-
±20V
160 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
MPT3
TO-243AA
SOT-223-3
ZXMN10A08GTA
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Diodes Incorporated
8,606
재고 있음
45,000
공장
1 : ₩1,732.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩487.79800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
2A(Ta)
6V, 10V
250m옴 @ 3.2A, 10V
2V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±20V
405 pF @ 50 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223-3
TO-261-4, TO-261AA
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC
40,417
재고 있음
1 : ₩6,611.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩2,315.35200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
GaNFET(질화 갈륨)
65 V
2A(Ta)
5V
530m옴 @ 500mA, 5V
2.5V @ 250µA
-
+6V, -4V
21 pF @ 32.5 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
다이
다이
MMFTN2316K
MMFTN210A
MOSFET N-CH 100V 2A TO-236-3
Diotec Semiconductor
1,122
재고 있음
1 : ₩392.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩78.87000
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
2A(Ta)
4.5V, 10V
320m옴 @ 1A, 10V
1.6V @ 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
362 pF @ 50 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
18,543
재고 있음
1 : ₩512.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩106.34300
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
2A(Ta)
1.5V, 4.5V
150m옴 @ 1A, 4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
+6V, -8V
270 pF @ 10 V
-
600mW(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
S-Mini
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMP2110UW-7
MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Diodes Incorporated
14,545
재고 있음
1 : ₩572.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩118.15433
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
2A(Ta)
1.8V, 4.5V
100m옴 @ 1.5A, 4.5V
900mV @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±12V
443 pF @ 6 V
-
490mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-323
SC-70, SOT-323
8,232
재고 있음
1 : ₩587.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩122.48667
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
2A(Ta)
4V, 10V
150m옴 @ 2A, 10V
2.2V @ 250µA
3.4 nC @ 4.5 V
+20V, -25V
159 pF @ 15 V
-
600mW(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
S-Mini
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2,827
재고 있음
1 : ₩587.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩122.48667
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
2A(Ta)
1.8V, 10V
110m옴 @ 2A, 10V
1.2V @ 1mA
5.1 nC @ 4.5 V
±12V
210 pF @ 10 V
-
1.2W(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
S-Mini
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3422
AO3423
MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
52,597
재고 있음
1 : ₩617.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩133.26400
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
2A(Ta)
2.5V, 10V
92m옴 @ 2A, 10V
1.4V @ 250µA
6.6 nC @ 4.5 V
±12V
620 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 변형
6,737
재고 있음
1 : ₩708.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩149.18133
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
38 V
2A(Ta)
4V, 10V
340m옴 @ 1A, 10V
2.4V @ 1mA
2.5 nC @ 10 V
±20V
86 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
11,194
재고 있음
1 : ₩753.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩162.16767
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
2A(Ta)
1.8V, 4V
123m옴 @ 1A, 4V
1V @ 1mA
1.5 nC @ 4 V
±12V
123 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
UFM
3-SMD, 플랫 리드(Lead)
보기
/ 275

단일 FET, MOSFET

단일 전계 효과 트랜지스터(FET)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

단일 FET는 게이트 단자에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장을 통해 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 작동합니다. FET의 주요 장점은 높은 입력 임피던스로, 신호 증폭 및 아날로그 회로에 사용하기에 이상적입니다. 전자 회로의 증폭기, 발진기, 버퍼 단계와 같은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

FET의 한 종류인 MOSFET은 얇은 산화물층에 의해 게이트 단자가 채널로부터 절연되어 있어 성능을 향상하고 효율을 높입니다. MOSFET은 다음 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

MOSFET은 낮은 전력 소비, 고속 스위칭 및 대용량 전류와 전압을 처리하는 성능 덕분에 많은 응용 분야에서 사용됩니다. 전원 공급 장치, 모터 구동기, 무선 주파수 응용 제품을 포함한 디지털 및 아날로그 회로에서 매우 중요합니다.

MOSFET의 작동은 두 가지 모드로 분류할 수 있습니다.

  • 인핸스먼트 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 꺼집니다. 켜지려면 n채널에서는 양의 게이트-소스 전압이, p채널에서는 음의 게이트-소스 전압이 필요합니다.
  • 공핍 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 켜집니다. 역극성의 게이트-소스 전압을 인가하면 끌 수 있습니다.

MOSFET은 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.

  1. 높은 효율성: 전력 소비가 매우 적고 상태를 빠르게 전환할 수 있어 전력 관리 응용 제품에 매우 효율적입니다.
  2. 낮은 온스테이트 저항: MOSFET이 켜졌을 때 저항이 낮아 전력 손실과 열 발생을 최소화합니다.
  3. 높은 입력 임피던스: 절연 게이트 구조로 인해 매우 높은 입력 임피던스가 발생하므로 고임피던스 신호 증폭에 이상적입니다.

단일 FET, 특히 MOSFET은 최신 전자공학의 기본 부품이며, 낮은 전력 신호 증폭부터 고전력 스위칭 및 제어에 이르기까지 광범위한 응용 분야에서 효율성, 속도 및 다목적성을 제공합니다.