단일 FET, MOSFET

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제조업체 부품 번호	주문 가능 수량	가격	계열	포장	제품 현황	FET 유형	기술	드레인 - 소스 전압(Vdss)	전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(th)(최대) @ Id	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	FET 특징	내전력(최대)	작동 온도	등급	인증	실장 유형	공급 장치 패키지	패키지/케이스
SSM3J372R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	100,128 재고 있음	1 : ₩507.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩108.94267 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	6A(Ta)	1.8V, 10V	42m옴 @ 5A, 10V	1.2V @ 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	+12V, -6V	560 pF @ 15 V	-	1W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J334R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	138,008 재고 있음	1 : ₩521.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩111.15767 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	4A(Ta)	4V, 10V	71m옴 @ 3A, 10V	2V @ 100µA	5.9 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 15 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J332R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	56,082 재고 있음	1 : ₩521.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩111.15767 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	6A(Ta)	1.8V, 10V	42m옴 @ 5A, 10V	1.2V @ 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	±12V	560 pF @ 15 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J328R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	482,706 재고 있음	1 : ₩594.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩128.57333 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	6A(Ta)	1.5V, 4.5V	29.8m옴 @ 3A, 4.5V	1V @ 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J356R,LF MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	138,504 재고 있음	1 : ₩594.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩128.57333 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	2A(Ta)	4V, 10V	300m옴 @ 1A, 10V	2V @ 1mA	8.3 nC @ 10 V	+10V, -20V	330 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J133TU,LF MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	35,803 재고 있음	1 : ₩811.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩184.29433 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	5.5A(Ta)	1.5V, 4.5V	29.8m옴 @ 3A, 4.5V	1V @ 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	500mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	UFM	3-SMD, 플랫 리드(Lead)
SSM3J130TU,LF MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	103,931 재고 있음	1 : ₩999.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩233.11500 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	4.4A(Ta)	1.5V, 4.5V	25.8m옴 @ 4A, 4.5V	1V @ 1mA	24.8 nC @ 4.5 V	±8V	1800 pF @ 10 V	-	500mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	UFM	3-SMD, 플랫 리드(Lead)
SSM6J507NU,LF MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	16,799 재고 있음	1 : ₩999.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩233.11500 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	10A(Ta)	4V, 10V	20m옴 @ 4A, 10V	2.2V @ 250µA	20.4 nC @ 4.5 V	+20V, -25V	1150 pF @ 15 V	-	1.25W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	6-UDFNB(2x2)	6-WDFN 노출형 패드
SSM3J351R,LXHF AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	2,233 재고 있음	1 : ₩1,288.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩311.41033 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT)	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	3.5A(Ta)	4V, 10V	134m옴 @ 1A, 10V	2V @ 1mA	15.1 nC @ 10 V	+10V, -20V	660 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C	자동차	AEC-Q101	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
TPN4R712MD,L1Q MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	11,961 재고 있음	1 : ₩1,737.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩415.86060 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	36A(Tc)	2.5V, 4.5V	4.7m옴 @ 18A, 4.5V	1.2V @ 1mA	65 nC @ 5 V	±12V	4300 pF @ 10 V	-	42W(Tc)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	8-TSON 고급(3.1x3.1)	8-PowerVDFN
TJ15S06M3L,LXHQ MOSFET P-CH 60V 15A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	6,314 재고 있음	1 : ₩2,056.00000 컷 테이프(CT) 2,000 : ₩565.02250 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	15A(Ta)	6V, 10V	50m옴 @ 7.5A, 10V	3V @ 1mA	36 nC @ 10 V	+10V, -20V	1770 pF @ 10 V	-	41W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	DPAK+	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TJ60S06M3L,LXHQ MOSFET P-CH 60V 60A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	6,760 재고 있음	1 : ₩3,069.00000 컷 테이프(CT) 2,000 : ₩905.58150 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	60A(Ta)	6V, 10V	11.2m옴 @ 30A, 10V	3V @ 1mA	156 nC @ 10 V	+10V, -20V	7760 pF @ 10 V	-	100W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	DPAK+	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
XPH4R714MC,L1XHQ MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	36,539 재고 있음	1 : ₩3,503.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩1,031.47200 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	60A(Ta)	4.5V, 10V	4.7m옴 @ 30A, 10V	2.1V @ 1mA	160 nC @ 10 V	+10V, -20V	5640 pF @ 10 V	-	960mW(Ta), 132W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
XPH3R114MC,L1XHQ MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	4,142 재고 있음	1 : ₩4,155.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩1,302.91200 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	100A(Ta)	4.5V, 10V	3.1m옴 @ 50A, 10V	2.1V @ 1mA	230 nC @ 10 V	+10V, -20V	9500 pF @ 10 V	-	960mW(Ta), 170W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
SSM3J66MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 800MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	10,205 재고 있음	1 : ₩463.00000 컷 테이프(CT) 8,000 : ₩84.53000 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	800mA(Ta)	1.2V, 4.5V	390m옴 @ 800mA, 4.5V	1V @ 1mA	1.6 nC @ 4.5 V	+6V, -8V	100 pF @ 10 V	-	150mW(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	VESM	SOT-723
SSM3J375F,LF MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI Toshiba Semiconductor and Storage	21,274 재고 있음	1 : ₩478.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩102.23033 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	2A(Ta)	1.5V, 4.5V	150m옴 @ 1A, 4.5V	1V @ 1mA	4.6 nC @ 4.5 V	+6V, -8V	270 pF @ 10 V	-	600mW(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	S-Mini	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J325F,LF MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI Toshiba Semiconductor and Storage	3,514 재고 있음	1 : ₩478.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩102.23033 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	2A(Ta)	1.5V, 4.5V	150m옴 @ 1A, 4.5V	-	4.6 nC @ 4.5 V	±8V	270 pF @ 10 V	-	600mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	S-Mini	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J377R,LF MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	2,102 재고 있음	1 : ₩478.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩102.23033 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	3.9A(Ta)	1.5V, 4.5V	93m옴 @ 1.5A, 4.5V	1V @ 1mA	4.6 nC @ 4.5 V	+6V, -8V	290 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J374R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	12,918 재고 있음	1 : ₩507.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩108.94267 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	4A(Ta)	4V, 10V	71m옴 @ 3A, 10V	2V @ 100µA	5.9 nC @ 10 V	+10V, -20V	280 pF @ 15 V	-	1W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J56MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 800MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	293,425 재고 있음	1 : ₩521.00000 컷 테이프(CT) 8,000 : ₩96.47700 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	800mA(Ta)	1.2V, 4.5V	390m옴 @ 800mA, 4.5V	-	-	±8V	100 pF @ 10 V	-	150mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	VESM	SOT-723
SSM3J331R,LF MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	12,028 재고 있음	1 : ₩521.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩111.15767 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	4A(Ta)	1.5V, 4.5V	55m옴 @ 3A, 4.5V	1V @ 1mA	10.4 nC @ 4.5 V	±8V	630 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J340R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	18,700 재고 있음	1 : ₩536.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩115.56333 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	4A(Ta)	4V, 10V	45m옴 @ 4A, 10V	2.2V @ 250µA	6.2 nC @ 4.5 V	+20V, -25V	492 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J353F,LF MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI Toshiba Semiconductor and Storage	19,392 재고 있음	1 : ₩550.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩117.74933 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	2A(Ta)	4V, 10V	150m옴 @ 2A, 10V	2.2V @ 250µA	3.4 nC @ 4.5 V	+20V, -25V	159 pF @ 15 V	-	600mW(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	S-Mini	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J352F,LF MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI Toshiba Semiconductor and Storage	5,478 재고 있음	1 : ₩550.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩117.74933 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	2A(Ta)	1.8V, 10V	110m옴 @ 2A, 10V	1.2V @ 1mA	5.1 nC @ 4.5 V	±12V	210 pF @ 10 V	-	1.2W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	S-Mini	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J378R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	7,260 재고 있음	1 : ₩565.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩122.10200 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	6A(Ta)	1.5V, 4.5V	29.8m옴 @ 3A, 4.5V	1V @ 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	+6V, -8V	840 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)

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이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.

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