단일 FET, MOSFET

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제조업체 부품 번호	주문 가능 수량	가격	계열	포장	제품 현황	FET 유형	기술	드레인 - 소스 전압(Vdss)	전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(th)(최대) @ Id	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	FET 특징	내전력(최대)	작동 온도	등급	인증	실장 유형	공급 장치 패키지	패키지/케이스
SSM3J327R,LF MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	14,809 재고 있음	1 : ₩506.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩105.78933 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	3.9A(Ta)	1.5V, 4.5V	93m옴 @ 1.5A, 4.5V	1V @ 1mA	4.6 nC @ 4.5 V	±8V	290 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J372R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	96,043 재고 있음	1 : ₩536.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩115.28200 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	6A(Ta)	1.8V, 10V	42m옴 @ 5A, 10V	1.2V @ 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	+12V, -6V	560 pF @ 15 V	-	1W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J334R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	130,498 재고 있음	1 : ₩551.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩117.62600 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	4A(Ta)	4V, 10V	71m옴 @ 3A, 10V	2V @ 100µA	5.9 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 15 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J332R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	54,475 재고 있음	1 : ₩551.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩117.62600 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	6A(Ta)	1.8V, 10V	42m옴 @ 5A, 10V	1.2V @ 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	±12V	560 pF @ 15 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J328R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	452,525 재고 있음	1 : ₩628.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩136.05500 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	6A(Ta)	1.5V, 4.5V	29.8m옴 @ 3A, 4.5V	1V @ 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J356R,LF MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	103,441 재고 있음	1 : ₩628.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩136.05500 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	2A(Ta)	4V, 10V	300m옴 @ 1A, 10V	2V @ 1mA	8.3 nC @ 10 V	+10V, -20V	330 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J133TU,LF MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	54,004 재고 있음	1 : ₩858.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩195.01867 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	5.5A(Ta)	1.5V, 4.5V	29.8m옴 @ 3A, 4.5V	1V @ 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	500mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	UFM	3-SMD, 플랫 리드(Lead)
SSM6J501NU,LF MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	4,368 재고 있음	1 : ₩919.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩207.62633 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	10A(Ta)	1.5V, 4.5V	15.3m옴 @ 4A, 4.5V	1V @ 1mA	29.9 nC @ 4.5 V	±8V	2600 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	6-UDFNB(2x2)	6-WDFN 노출형 패드
SSM6J507NU,LF MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	34,213 재고 있음	1 : ₩1,057.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩246.68000 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	10A(Ta)	4V, 10V	20m옴 @ 4A, 10V	2.2V @ 250µA	20.4 nC @ 4.5 V	+20V, -25V	1150 pF @ 15 V	-	1.25W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	6-UDFNB(2x2)	6-WDFN 노출형 패드
SSM3J351R,LXHF AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	17,208 재고 있음	1 : ₩1,363.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩329.53133 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT)	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	3.5A(Ta)	4V, 10V	134m옴 @ 1A, 10V	2V @ 1mA	15.1 nC @ 10 V	+10V, -20V	660 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C	자동차	AEC-Q101	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
TPN4R712MD,L1Q MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	9,454 재고 있음	1 : ₩1,838.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩440.05940 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	36A(Tc)	2.5V, 4.5V	4.7m옴 @ 18A, 4.5V	1.2V @ 1mA	65 nC @ 5 V	±12V	4300 pF @ 10 V	-	42W(Tc)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	8-TSON 고급(3.1x3.1)	8-PowerVDFN
TJ15S06M3L,LXHQ MOSFET P-CH 60V 15A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	6,004 재고 있음	1 : ₩2,175.00000 컷 테이프(CT) 2,000 : ₩597.90050 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	15A(Ta)	6V, 10V	50m옴 @ 7.5A, 10V	3V @ 1mA	36 nC @ 10 V	+10V, -20V	1770 pF @ 10 V	-	41W(Tc)	175°C	자동차	AEC-Q101	표면 실장	DPAK+	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
XPH4R714MC,L1XHQ MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	35,972 재고 있음	1 : ₩2,742.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩718.08760 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	60A(Ta)	4.5V, 10V	4.7m옴 @ 30A, 10V	2.1V @ 1mA	160 nC @ 10 V	+10V, -20V	5640 pF @ 10 V	-	960mW(Ta), 132W(Tc)	175°C	자동차	AEC-Q101	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
TPH1R712MD,L1Q MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	4,500 재고 있음	1 : ₩3,018.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩821.49220 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	60A(Tc)	2.5V, 4.5V	1.7m옴 @ 30A, 4.5V	1.2V @ 1mA	182 nC @ 5 V	±12V	10900 pF @ 10 V	-	78W(Tc)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
TJ60S06M3L,LXHQ MOSFET P-CH 60V 60A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	5,989 재고 있음	1 : ₩3,248.00000 컷 테이프(CT) 2,000 : ₩958.27700 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	60A(Ta)	6V, 10V	11.2m옴 @ 30A, 10V	3V @ 1mA	156 nC @ 10 V	+10V, -20V	7760 pF @ 10 V	-	100W(Tc)	175°C	자동차	AEC-Q101	표면 실장	DPAK+	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
XPH3R114MC,L1XHQ MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	6,998 재고 있음	1 : ₩3,278.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩919.15200 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	100A(Ta)	4.5V, 10V	3.1m옴 @ 50A, 10V	2.1V @ 1mA	230 nC @ 10 V	+10V, -20V	9500 pF @ 10 V	-	960mW(Ta), 170W(Tc)	175°C	자동차	AEC-Q101	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
TJ90S04M3L,LXHQ MOSFET P-CH 40V 90A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	5,682 재고 있음	1 : ₩3,477.00000 컷 테이프(CT) 2,000 : ₩1,033.74750 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	90A(Ta)	4.5V, 10V	4.3m옴 @ 45A, 10V	2V @ 1mA	172 nC @ 10 V	+10V, -20V	7700 pF @ 10 V	-	180W(Tc)	175°C	자동차	AEC-Q101	표면 실장	DPAK+	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
SSM3J66MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 800MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	10,090 재고 있음	1 : ₩490.00000 컷 테이프(CT) 8,000 : ₩89.44875 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	800mA(Ta)	1.2V, 4.5V	390m옴 @ 800mA, 4.5V	1V @ 1mA	1.6 nC @ 4.5 V	+6V, -8V	100 pF @ 10 V	-	150mW(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	VESM	SOT-723
SSM3J375F,LF MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI Toshiba Semiconductor and Storage	21,244 재고 있음	1 : ₩506.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩108.17900 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	2A(Ta)	1.5V, 4.5V	150m옴 @ 1A, 4.5V	1V @ 1mA	4.6 nC @ 4.5 V	+6V, -8V	270 pF @ 10 V	-	600mW(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	S-Mini	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J325F,LF MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI Toshiba Semiconductor and Storage	15,514 재고 있음	1 : ₩506.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩108.17900 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	2A(Ta)	1.5V, 4.5V	150m옴 @ 1A, 4.5V	-	4.6 nC @ 4.5 V	±8V	270 pF @ 10 V	-	600mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	S-Mini	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J377R,LF MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	14,455 재고 있음	1 : ₩506.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩108.17900 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	3.9A(Ta)	1.5V, 4.5V	93m옴 @ 1.5A, 4.5V	1V @ 1mA	4.6 nC @ 4.5 V	+6V, -8V	290 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J374R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	12,825 재고 있음	1 : ₩536.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩115.28200 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	4A(Ta)	4V, 10V	71m옴 @ 3A, 10V	2V @ 100µA	5.9 nC @ 10 V	+10V, -20V	280 pF @ 15 V	-	1W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J56MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 800MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	292,404 재고 있음	1 : ₩551.00000 컷 테이프(CT) 8,000 : ₩102.09100 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	800mA(Ta)	1.2V, 4.5V	390m옴 @ 800mA, 4.5V	-	-	±8V	100 pF @ 10 V	-	150mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	VESM	SOT-723
SSM3J331R,LF MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	11,918 재고 있음	1 : ₩551.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩117.62600 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	4A(Ta)	1.5V, 4.5V	55m옴 @ 3A, 4.5V	1V @ 1mA	10.4 nC @ 4.5 V	±8V	630 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J340R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	17,496 재고 있음	1 : ₩567.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩122.28800 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	4A(Ta)	4V, 10V	45m옴 @ 4A, 10V	2.2V @ 250µA	6.2 nC @ 4.5 V	+20V, -25V	492 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)

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이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.

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