단일 FET, MOSFET

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제조업체 부품 번호	주문 가능 수량	가격	계열	포장	제품 현황	FET 유형	기술	드레인 - 소스 전압(Vdss)	전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(th)(최대) @ Id	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	FET 특징	내전력(최대)	작동 온도	등급	인증	실장 유형	공급 장치 패키지	패키지/케이스
TPN11006PL,LQ MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	18,734 재고 있음	1 : ₩1,501.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩367.73733 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	26A(Tc)	4.5V, 10V	11.4m옴 @ 13A, 10V	2.5V @ 200µA	17 nC @ 10 V	±20V	1625 pF @ 30 V	-	610mW(Ta), 61W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-TSON 고급(3.1x3.1)	8-PowerVDFN
TPH7R204PL,LQ MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	4,018 재고 있음	1 : ₩1,517.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩371.52633 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	48A(Tc)	4.5V, 10V	9.7m옴 @ 15A, 4.5V	2.4V @ 200µA	24 nC @ 10 V	±20V	2040 pF @ 20 V	-	69W(Tc)	175°C(TJ)	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
TPH3R704PL,L1Q MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	85,230 재고 있음	1 : ₩1,976.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩481.70920 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	92A(Tc)	4.5V, 10V	3.7m옴 @ 46A, 10V	2.4V @ 200µA	27 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 20 V	-	960mW(Ta), 81W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
TPN2R304PL,L1Q MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	16,170 재고 있음	1 : ₩2,007.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩488.60280 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	80A(Tc)	4.5V, 10V	2.3m옴 @ 40A, 10V	2.4V @ 300µA	41 nC @ 10 V	±20V	3600 pF @ 20 V	-	630mW(Ta), 104W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-TSON 고급(3.1x3.1)	8-PowerVDFN
TPN1R603PL,L1Q MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	39,403 재고 있음	1 : ₩2,083.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩490.21440 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	80A(Tc)	4.5V, 10V	1.6m옴 @ 40A, 10V	2.1V @ 300µA	41 nC @ 10 V	±20V	3900 pF @ 15 V	-	104W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-TSON 고급(3.1x3.1)	8-PowerVDFN
TK3R1P04PL,RQ MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	3,683 재고 있음	1 : ₩2,528.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩692.96720 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	58A(Tc)	4.5V, 10V	3.1m옴 @ 29A, 10V	2.4V @ 500µA	60 nC @ 10 V	±20V	4670 pF @ 20 V	-	87W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	DPAK	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TPH2R506PL,L1Q MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	53,217 재고 있음	1 : ₩3,232.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩901.91800 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	100A(Tc)	4.5V, 10V	4.4m옴 @ 30A, 4.5V	2.5V @ 500µA	60 nC @ 10 V	±20V	5435 pF @ 30 V	-	132W(Tc)	175°C(TJ)	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
TPH1R204PL1,LQ UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Toshiba Semiconductor and Storage	12,999 재고 있음	1 : ₩3,263.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩917.23720 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	150A(Tc)	4.5V, 10V	1.24m옴 @ 50A, 10V	2.4V @ 500µA	74 nC @ 10 V	±20V	7200 pF @ 20 V	-	960mW(Ta), 170W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5.75)	8-PowerTDFN
TPH3R70APL,L1Q MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	7,975 재고 있음	1 : ₩3,508.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩1,011.06720 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	100 V	90A(Tc)	4.5V, 10V	3.7m옴 @ 45A, 10V	2.5V @ 1mA	67 nC @ 10 V	±20V	6300 pF @ 50 V	-	960mW(Ta), 170W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
TPHR8504PL,L1Q MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	9,984 재고 있음	1 : ₩3,983.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩1,200.64240 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	150A(Tc)	4.5V, 10V	0.85m옴 @ 50A, 10V	2.4V @ 1mA	103 nC @ 10 V	±20V	9600 pF @ 20 V	-	1W(Ta), 170W(Tc)	175°C(TJ)	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
TPHR6503PL,L1Q MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	34,561 재고 있음	1 : ₩4,152.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩1,275.32340 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	150A(Tc)	4.5V, 10V	0.65m옴 @ 50A, 10V	2.1V @ 1mA	110 nC @ 10 V	±20V	10000 pF @ 15 V	-	960mW(Ta), 170W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
TPH1R306PL,L1Q MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	12,942 재고 있음	1 : ₩4,182.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩1,284.89800 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	100A(Tc)	4.5V, 10V	1.34m옴 @ 50A, 10V	2.5V @ 1mA	91 nC @ 10 V	±20V	8100 pF @ 30 V	-	960mW(Ta), 170W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
TPH1R306P1,L1Q MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	15,069 재고 있음	1 : ₩4,764.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩1,537.66480 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	100A(Tc)	4.5V, 10V	1.28m옴 @ 50A, 10V	2.5V @ 1mA	91 nC @ 10 V	±20V	8100 pF @ 30 V	-	960mW(Ta), 170W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
TPW3R70APL,L1Q PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO Toshiba Semiconductor and Storage	1,426 재고 있음	1 : ₩5,331.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩1,790.43160 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	100 V	90A(Tc)	4.5V, 10V	3.7m옴 @ 45A, 10V	2.5V @ 1mA	67 nC @ 10 V	±20V	6300 pF @ 50 V	-	960mW(Ta), 170W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-DSOP 고급	8-PowerVDFN
TPW1R306PL,L1Q MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP Toshiba Semiconductor and Storage	4,936 재고 있음	1 : ₩5,438.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩1,838.30400 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	260A(Tc)	4.5V, 10V	1.29m옴 @ 50A, 10V	2.5V @ 1mA	91 nC @ 10 V	±20V	8100 pF @ 30 V	-	960mW(Ta), 170W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-DSOP 고급	8-PowerVDFN
TPW1R005PL,L1Q MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP Toshiba Semiconductor and Storage	2,655 재고 있음	1 : ₩5,929.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩2,064.26220 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	45 V	300A(Tc)	4.5V, 10V	-	2.4V @ 1mA	122 nC @ 10 V	±20V	9600 pF @ 22.5 V	-	960mW(Ta), 170W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-DSOP 고급	8-PowerVDFN
XPQR3004PB,LXHQ 40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM Toshiba Semiconductor and Storage	3,258 재고 있음	1 : ₩10,892.00000 컷 테이프(CT) 1,500 : ₩4,672.35600 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	400A(Ta)	6V, 10V	0.3m옴 @ 200A, 10V	3V @ 1mA	295 nC @ 10 V	±20V	26910 pF @ 10 V	-	750W(Tc)	175°C	자동차	AEC-Q101	표면 실장	L-TOGL™	8-PowerBSFN
SSM6K513NU,LF MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	25,991 재고 있음	1 : ₩1,057.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩246.68000 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	15A(Ta)	4.5V, 10V	8.9m옴 @ 4A, 10V	2.1V @ 100µA	7.5 nC @ 4.5 V	±20V	1130 pF @ 15 V	-	1.25W(Ta)	150°C(TA)	-	-	표면 실장	6-UDFNB(2x2)	6-WDFN 노출형 패드
SSM6K514NU,LF MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	8,476 재고 있음	1 : ₩1,088.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩252.74133 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	12A(Ta)	4.5V, 10V	11.6m옴 @ 4A, 10V	2.4V @ 100µA	7.5 nC @ 4.5 V	±20V	1110 pF @ 20 V	-	2.5W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	6-UDFNB(2x2)	6-WDFN 노출형 패드
TPN7R504PL,LQ MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	4,400 재고 있음	1 : ₩1,455.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩354.44033 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	38A(Tc)	4.5V, 10V	7.5m옴 @ 19A, 10V	2.4V @ 200µA	24 nC @ 10 V	±20V	2040 pF @ 20 V	-	610mW(Ta), 61W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-TSON 고급(3.1x3.1)	8-PowerVDFN
TPH9R506PL,LQ MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	15,268 재고 있음	1 : ₩1,808.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩458.91733 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	34A(Tc)	4.5V, 10V	9.5m옴 @ 17A, 10V	2.5V @ 200µA	21 nC @ 10 V	±20V	1910 pF @ 30 V	-	830mW(Ta), 81W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
TPH7R006PL,L1Q MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	24,950 재고 있음	1 : ₩1,823.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩435.39000 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	60A(Tc)	4.5V, 10V	13.5m옴 @ 10A, 4.5V	2.5V @ 200µA	22 nC @ 10 V	±20V	1875 pF @ 30 V	-	81W(Tc)	175°C(TJ)	-	-	표면 실장	8-SOP 고급(5x5)	8-PowerVDFN
TPN1200APL,L1Q PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO Toshiba Semiconductor and Storage	4,118 재고 있음	1 : ₩1,838.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩441.79960 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	100 V	40A(Tc)	4.5V, 10V	11.5m옴 @ 20A, 10V	2.5V @ 300µA	24 nC @ 10 V	±20V	1855 pF @ 50 V	-	630mW(Ta), 104W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-TSON 고급(3.1x3.1)	8-PowerVDFN
TPN2R805PL,L1Q MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	5,462 재고 있음	1 : ₩2,037.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩497.20300 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	45 V	80A(Tc)	4.5V, 10V	2.8m옴 @ 40A, 10V	2.4V @ 300µA	39 nC @ 10 V	±20V	3200 pF @ 22.5 V	-	2.67W(Ta), 104W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-TSON 고급(3.1x3.1)	8-PowerVDFN
TPN4R806PL,L1Q MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	6,222 재고 있음	1 : ₩2,099.00000 컷 테이프(CT) 5,000 : ₩516.05780 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIX-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	72A(Tc)	4.5V, 10V	3.5m옴 @ 36A, 10V	2.5V @ 300µA	29 nC @ 10 V	±20V	2770 pF @ 30 V	-	630mW(Ta), 104W(Tc)	175°C	-	-	표면 실장	8-TSON 고급(3.1x3.1)	8-PowerVDFN

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이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.

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