단일 FET, MOSFET

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제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
12,122
재고 있음
1 : ₩1,563.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩388.48467
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
34A(Tc)
6V, 10V
19m옴 @ 17A, 10V
3.5V @ 200µA
16 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 40 V
-
630mW(Ta), 57W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
8-TSON 고급(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
19,263
재고 있음
1 : ₩3,585.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩1,043.62060
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
120A(Tc)
6V, 10V
2.43m옴 @ 50A, 10V
3.5V @ 1mA
87 nC @ 10 V
±20V
8300 pF @ 40 V
-
3W(Ta), 210W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
8-SOP 고급(5x5)
8-PowerVDFN
947
재고 있음
1 : ₩2,497.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩684.16160
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
62A(Tc)
6V, 10V
6.9m옴 @ 31A, 10V
3.5V @ 500µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 40 V
-
89W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
DPAK
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
1,062
재고 있음
1 : ₩9,084.00000
컷 테이프(CT)
1,500 : ₩3,446.82000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
350A(Ta)
6V, 10V
0.83m옴 @ 175A, 10V
3.5V @ 3.2mA
305 nC @ 10 V
±20V
24700 pF @ 10 V
-
750W(Tc)
175°C
자동차
AEC-Q101
표면 실장
L-TOGL™
8-PowerBSFN
15,653
재고 있음
1 : ₩2,972.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩804.25800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
84A(Tc)
6V, 10V
5.1m옴 @ 42A, 10V
3.5V @ 700µA
56 nC @ 10 V
±20V
3980 pF @ 40 V
-
104W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
DPAK
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
4,329
재고 있음
1 : ₩7,185.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩2,680.86000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
160A(Ta)
6V, 10V
1.92m옴 @ 80A, 10V
3.5V @ 1mA
184 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 10 V
-
375W(Tc)
175°C
자동차
AEC-Q101
표면 실장
TO-220SMW
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
8-PowerTDFN
TPH8R808QM,LQ
80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Toshiba Semiconductor and Storage
9,829
재고 있음
1 : ₩2,053.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩460.31440
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
79A(Ta), 52A(Tc)
6V, 10V
8.8m옴 @ 26A, 10V
3.5V @ 300µA
26 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 40 V
-
3W(Ta), 109W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
8-SOP 고급(5x5.75)
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN
TPH6R008QM,LQ
80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Toshiba Semiconductor and Storage
9,955
재고 있음
1 : ₩2,420.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩564.48500
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
59A(Tc)
6V, 10V
6m옴 @ 29.5A, 10V
3.5V @ 400µA
38 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 40 V
-
3W(Ta), 135W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
8-SOP 고급(5x5.75)
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN
TPH3R008QM,LQ
80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Toshiba Semiconductor and Storage
10,863
재고 있음
1 : ₩3,432.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩880.85400
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
100A(Tc)
6V, 10V
3m옴 @ 50A, 10V
3.5V @ 900µA
71 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 40 V
-
3W(Ta), 180W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
8-SOP 고급(5x5.75)
8-PowerTDFN
4,975
재고 있음
1 : ₩4,044.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩1,110.64200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
150 V
77A(Ta), 32A(Tc)
8V, 10V
14.1m옴 @ 16A, 10V
4.5V @ 600µA
31 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 75 V
-
3W(Ta), 170W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
8-SOP 고급(5x5.75)
8-PowerTDFN
TK5A80E,S4X
TK7R4A15Q5,S4X
150V UMOS10-HSD TO-220SIS 7.4MOH
Toshiba Semiconductor and Storage
400
재고 있음
1 : ₩4,933.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
150 V
57A(Tc)
8V, 10V
7.4m옴 @ 28.5A, 10V
4.5V @ 1.4mA
66 nC @ 10 V
±20V
4970 pF @ 75 V
-
46W(Tc)
175°C
-
-
스루홀
TO-220SIS
TO-220-3 풀팩(Full Pack)
400
재고 있음
1 : ₩5,025.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
150 V
130A(Ta), 84A(Tc)
8V, 10V
7.2m옴 @ 42A, 10V
4.5V @ 1.4mA
66 nC @ 10 V
±20V
4970 pF @ 75 V
-
230W(Tc)
175°C
-
-
스루홀
TO-220
TO-220-3
TK5A80E,S4X
TK9R7A15Q5,S4X
150V UMOS10-HSD TO-220SIS 9.7MOH
Toshiba Semiconductor and Storage
388
재고 있음
1 : ₩5,254.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
150 V
49A(Tc)
8V, 10V
9.7m옴 @ 24.5A, 10V
4.5V @ 1.1mA
50 nC @ 10 V
±20V
3690 pF @ 75 V
-
45W(Tc)
175°C
-
-
스루홀
TO-220SIS
TO-220-3 풀팩(Full Pack)
380
재고 있음
1 : ₩5,423.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
150 V
104A(Ta), 52A(Tc)
8V, 10V
9.6m옴 @ 26A, 10V
4.5V @ 1.1mA
50 nC @ 10 V
±20V
3690 pF @ 75 V
-
200W(Tc)
175°C
-
-
스루홀
TO-220
TO-220-3
375
재고 있음
1 : ₩7,966.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
150 V
76A(Ta), 76A(Tc)
8V, 10V
5m옴 @ 38A, 10V
4.5V @ 2.2mA
96 nC @ 10 V
±20V
7820 pF @ 75 V
-
53W(Tc)
175°C
-
-
스루홀
TO-220SIS
TO-220-3 풀팩(Full Pack)
138
재고 있음
1 : ₩8,150.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
150 V
120A(Tc)
8V, 10V
4.9m옴 @ 50A, 10V
4.5V @ 2.2mA
96 nC @ 10 V
±20V
7820 pF @ 75 V
-
300W(Tc)
175°C
-
-
스루홀
TO-220
TO-220-3
108
재고 있음
1 : ₩2,957.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
64A(Tc)
6V, 10V
7m옴 @ 32A, 10V
3.5V @ 500µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 40 V
-
87W(Tc)
175°C
-
-
스루홀
TO-220
TO-220-3
58
재고 있음
1 : ₩4,580.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
120A(Tc)
6V, 10V
3.3m옴 @ 50A, 10V
3.5V @ 1.3mA
110 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 40 V
-
230W(Tc)
175°C
-
-
스루홀
TO-220
TO-220-3
43
재고 있음
1 : ₩3,171.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
70A(Tc)
6V, 10V
5.1m옴 @ 35A, 10V
3.5V @ 700µA
54 nC @ 10 V
±20V
3980 pF @ 40 V
-
45W(Tc)
175°C
-
-
스루홀
TO-220SIS
TO-220-3 풀팩(Full Pack)
78
재고 있음
1 : ₩5,729.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
100A(Tc)
6V, 10V
2.44m옴 @ 50A, 10V
3.5V @ 2.2mA
179 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 40 V
-
47W(Tc)
175°C
-
-
스루홀
TO-220SIS
TO-220-3 풀팩(Full Pack)
TPH2R903PL,L1Q
TPH9R00CQ5,LQ
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Toshiba Semiconductor and Storage
10
재고 있음
1 : ₩4,810.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩1,558.72860
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
150 V
64A(Tc)
8V, 10V
9m옴 @ 32A, 10V
4.5V @ 1mA
44 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 75 V
-
210W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
8-SOP 고급(5x5)
8-PowerVDFN
19
재고 있음
1 : ₩2,666.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
58A(Tc)
6V, 10V
6.8m옴 @ 29A, 10V
3.5V @ 500µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 40 V
-
41W(Tc)
175°C
-
-
스루홀
TO-220SIS
TO-220-3 풀팩(Full Pack)
6
재고 있음
1 : ₩3,401.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
120A(Tc)
6V, 10V
5.3m옴 @ 50A, 10V
3.5V @ 700µA
55 nC @ 10 V
±20V
3980 pF @ 40 V
-
150W(Tc)
175°C
-
-
스루홀
TO-220
TO-220-3
0
재고 있음
리드 타임 확인
50 : ₩2,136.42000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
92A(Tc)
6V, 10V
3.2m옴 @ 46A, 10V
3.5V @ 1.3mA
102 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 40 V
-
45W(Tc)
175°C
-
-
스루홀
TO-220SIS
TO-220-3 풀팩(Full Pack)
0
재고 있음
리드 타임 확인
1 : ₩4,703.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩1,378.72800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
150 V
90A(Ta), 49A(Tc)
8V, 10V
11.1m옴 @ 24.5A, 10V
4.5V @ 800µA
38 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 75 V
-
3W(Ta), 180W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
8-SOP 고급(5x5.75)
8-PowerTDFN
보기
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단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.