단일 FET, MOSFET

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제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
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제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
SOT-23-3
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
3,235
재고 있음
1 : ₩470.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩94.43133
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4.1A(Ta)
2.5V, 4.5V
46m옴 @ 4.1A, 4.5V
1.1V @ 5µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
290 pF @ 16 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
193,934
재고 있음
1 : ₩500.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩121.29900
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
1.2A(Ta)
4.5V, 10V
250m옴 @ 910mA, 10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-TDSON-8-5
MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Infineon Technologies
15,412
재고 있음
1 : ₩603.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩419.69500
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
17A(Ta), 81A(Tc)
10V
5.4m옴 @ 50A, 10V
4V @ 27µA
34 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta), 57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
SOT-23-3
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
176,452
재고 있음
1 : ₩632.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩103.42467
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6.3A(Ta)
2.5V, 4.5V
21m옴 @ 6.3A, 4.5V
1.1V @ 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-220AB PKG
MOSFET N-CH 60V 95A TO220
Infineon Technologies
23,237
재고 있음
1 : ₩647.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
95A(Tc)
6V, 10V
5.9m옴 @ 57A, 10V
3.7V @ 100µA
110 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220
TO-220-3
8 PowerTDFN
MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
Infineon Technologies
11,490
재고 있음
1 : ₩647.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩280.29620
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
25 V
12A(Ta), 44A(Tc)
4.5V, 10V
6m옴 @ 20A, 10V
2V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 12 V
-
2.1W(Ta), 26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Infineon Technologies
105,976
재고 있음
1 : ₩661.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩119.91267
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V, 10V
27m옴 @ 5.2A, 10V
2.3V @ 25µA
2.6 nC @ 4.5 V
±20V
382 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
41,410
재고 있음
1 : ₩661.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩145.39433
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V, 4.5V
45m옴 @ 4.2A, 4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
61,275
재고 있음
1 : ₩691.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩137.89967
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
3.6A(Ta)
4.5V, 10V
56m옴 @ 3.6A, 10V
2.5V @ 25µA
3.9 nC @ 4.5 V
±16V
266 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-252AA (DPAK)
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
67,089
재고 있음
1 : ₩764.00000
컷 테이프(CT)
2,000 : ₩331.23000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
86A(Tc)
4.5V, 10V
5.8m옴 @ 25A, 10V
2.35V @ 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
PG-TO252-3-11
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Infineon Technologies
19,110
재고 있음
1 : ₩794.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩332.75800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
40A(Tc)
4.5V, 10V
9m옴 @ 30A, 10V
2.2V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 15 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
PG-TDSON-8-7
MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Infineon Technologies
13,081
재고 있음
1 : ₩794.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩466.60200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
21A(Ta), 72A(Tc)
4.5V, 10V
3,7m옴 @ 30A, 10V
2V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
960 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta), 30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
SOT-23-6
MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Infineon Technologies
2,199
재고 있음
1 : ₩794.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩182.86700
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.2A(Ta)
4.5V, 10V
100m옴 @ 2.2A, 10V
1V @ 250µA
9.6 nC @ 10 V
±20V
210 pF @ 25 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro6™(TSOP-6)
SOT-23-6
PG-TO252-3
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Infineon Technologies
17,147
재고 있음
1 : ₩808.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩253.31600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
500 V
2.4A(Tc)
13V
2옴 @ 600mA, 13V
3.5V @ 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
124 pF @ 100 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
PG-TO252-3
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Infineon Technologies
15,117
재고 있음
1 : ₩838.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩487.52200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
500 V
7.6A(Tc)
13V
500m옴 @ 2.3A, 13V
3.5V @ 200µA
18.7 nC @ 10 V
±20V
433 pF @ 100 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
SOT-23-6
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Infineon Technologies
9,612
재고 있음
1 : ₩852.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩260.81033
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
최종 구매 가능일
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6.5A(Ta)
2.5V, 4.5V
30m옴 @ 6.5A, 4.5V
1.2V @ 250µA
22 nC @ 5 V
±12V
1310 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro6™(SOT23-6)
SOT-23-6
8 PowerTDFN
MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Infineon Technologies
16,765
재고 있음
1 : ₩896.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩404.70580
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
15A(Ta), 40A(Tc)
4.5V, 10V
4.4m옴 @ 20A, 10V
2V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta), 27W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Infineon Technologies
6,615
재고 있음
1 : ₩896.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩744.54700
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
9.3A(Tc)
10V
15m옴 @ 5.6A, 10V
4V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
1510 pF @ 25 V
-
2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SO
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
SOT223-3L
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Infineon Technologies
31,877
재고 있음
1 : ₩955.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩288.02600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
2A(Ta)
4V, 10V
140m옴 @ 2A, 10V
2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±16V
230 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
PG-SOT223
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Infineon Technologies
3,283
재고 있음
1 : ₩955.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩455.08100
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
950 V
2A(Tc)
10V
3.7옴 @ 800mA, 10V
3.5V @ 40µA
6 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 400 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
TO-252AA (DPAK)
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Infineon Technologies
7,320
재고 있음
1 : ₩1,014.00000
컷 테이프(CT)
2,000 : ₩506.63150
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
17A(Tc)
4V, 10V
105m옴 @ 10A, 10V
2V @ 250µA
34 nC @ 5 V
±16V
800 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-252AA (DPAK)
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
122,106
재고 있음
1 : ₩1,043.00000
컷 테이프(CT)
2,000 : ₩480.68000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
17A(Tc)
10V
75m옴 @ 10A, 10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
PG-TDSON-8-5
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Infineon Technologies
28,473
재고 있음
1 : ₩1,073.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩305.30740
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
13A(Ta), 49A(Tc)
4.5V, 10V
9.3m옴 @ 40A, 10V
2V @ 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta), 35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO-252AA (DPAK)
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Infineon Technologies
6,710
재고 있음
1 : ₩1,073.00000
컷 테이프(CT)
2,000 : ₩640.03450
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
16A(Tc)
10V
115m옴 @ 10A, 10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
640 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
IPN60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Infineon Technologies
45,688
재고 있음
1 : ₩1,087.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩247.46733
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
3.7A(Tc)
10V
2.1옴 @ 800mA, 10V
3.5V @ 60µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 100 V
-
5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT223-3
TO-261-4, TO-261AA
보기
/ 1,336

단일 FET, MOSFET


단일 전계 효과 트랜지스터(FET)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

단일 FET는 게이트 단자에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장을 통해 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 작동합니다. FET의 주요 장점은 높은 입력 임피던스로, 신호 증폭 및 아날로그 회로에 사용하기에 이상적입니다. 전자 회로의 증폭기, 발진기, 버퍼 단계와 같은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

FET의 한 종류인 MOSFET은 얇은 산화물층에 의해 게이트 단자가 채널로부터 절연되어 있어 성능을 향상하고 효율을 높입니다. MOSFET은 다음 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

MOSFET은 낮은 전력 소비, 고속 스위칭 및 대용량 전류와 전압을 처리하는 성능 덕분에 많은 응용 분야에서 사용됩니다. 전원 공급 장치, 모터 구동기, 무선 주파수 응용 제품을 포함한 디지털 및 아날로그 회로에서 매우 중요합니다.

MOSFET의 작동은 두 가지 모드로 분류할 수 있습니다.

  • 인핸스먼트 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 꺼집니다. 켜지려면 n채널에서는 양의 게이트-소스 전압이, p채널에서는 음의 게이트-소스 전압이 필요합니다.
  • 공핍 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 켜집니다. 역극성의 게이트-소스 전압을 인가하면 끌 수 있습니다.

MOSFET은 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.

  1. 높은 효율성: 전력 소비가 매우 적고 상태를 빠르게 전환할 수 있어 전력 관리 응용 제품에 매우 효율적입니다.
  2. 낮은 온스테이트 저항: MOSFET이 켜졌을 때 저항이 낮아 전력 손실과 열 발생을 최소화합니다.
  3. 높은 입력 임피던스: 절연 게이트 구조로 인해 매우 높은 입력 임피던스가 발생하므로 고임피던스 신호 증폭에 이상적입니다.

단일 FET, 특히 MOSFET은 최신 전자공학의 기본 부품이며, 낮은 전력 신호 증폭부터 고전력 스위칭 및 제어에 이르기까지 광범위한 응용 분야에서 효율성, 속도 및 다목적성을 제공합니다.