단일 FET, MOSFET

검색 결과 : 6
제조업체
Diodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
계열
-CoolMOS™ P7G3R™PowerTrench®SuperMESH™
포장
Digi-Reel®컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)튜브
기술
MOSFET(금속 산화물)SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
60 V100 V600 V700 V1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1A(Tc)1.6A(Ta)4A(Ta), 16A(Tc)6.5A(Tc)10A(Tc)11A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V6V, 10V10V15V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
56m옴 @ 4A, 10V95m옴 @ 5A, 10V140m옴 @ 1.8A, 10V420m옴 @ 4A, 15V450m옴 @ 2.3A, 10V8.5옴 @ 500mA, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
2.5V @ 250µA2.69V @ 2mA3V @ 250µA3.5V @ 120µA3.7V @ 250µA4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
7.3 nC @ 10 V8.6 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V10 nC @ 10 V12 nC @ 15 V13.1 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±15V±16V±20V±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
156 pF @ 25 V315 pF @ 40 V334 pF @ 800 V402 pF @ 50 V424 pF @ 400 V1480 pF @ 50 V
내전력(최대)
700mW(Ta)2.5W(Ta), 31W(Tc)7.1W(Tc)9W(Tc)30W(Tc)75W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
공급 장치 패키지
8-MLP(3.3x3.3)DPAKPG-SOT223SOT-223SOT-23-3TO-263-7
패키지/케이스
8-PowerWDFNTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63TO-261-4, TO-261AATO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
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환경 옵션
미디어
MARKETPLACE 제품
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제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
SOT-23-3
DMN6140L-7
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
Diodes Incorporated
139,380
재고 있음
1 : ₩548.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩99.83900
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
1.6A(Ta)
4.5V, 10V
140m옴 @ 1.8A, 10V
3V @ 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 40 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8-PowerWDFN
FDMC8622
MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
onsemi
32,792
재고 있음
1 : ₩2,279.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩943.42533
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
4A(Ta), 16A(Tc)
6V, 10V
56m옴 @ 4A, 10V
4V @ 250µA
7.3 nC @ 10 V
±20V
402 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta), 31W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
15,583
재고 있음
1 : ₩880.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩333.83600
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
6.5A(Tc)
4.5V, 10V
95m옴 @ 5A, 10V
2.5V @ 250µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 50 V
-
9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD1NK60T4
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
STMicroelectronics
5,319
재고 있음
1 : ₩1,442.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩596.60400
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
1A(Tc)
10V
8.5옴 @ 500mA, 10V
3.7V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
DPAK
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
GA20JT12-263
G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
3,649
재고 있음
1 : ₩7,948.00000
튜브
튜브
활성
N채널
SiCFET(실리콘 카바이드)
1200 V
11A(Tc)
15V
420m옴 @ 4A, 15V
2.69V @ 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
표면 실장
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
PG-SOT223
IPN70R450P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Infineon Technologies
675
재고 있음
1 : ₩1,342.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩509.47433
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
700 V
10A(Tc)
10V
450m옴 @ 2.3A, 10V
3.5V @ 120µA
13.1 nC @ 10 V
±16V
424 pF @ 400 V
-
7.1W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
보기
/ 6

단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.