단일 FET, MOSFET

검색 결과 : 2
제조업체
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
계열
StrongIRFET™2TrenchFET®
포장
Digi-Reel®컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
30 V60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11.3A(Tc)35A(Ta), 223A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.7m옴 @ 100A, 10V7.5m옴 @ 17.8A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
1.5V @ 250µA3.3V @ 129µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V162 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±12V±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2610 pF @ 15 V7300 pF @ 30 V
내전력(최대)
1.5W(Tc)3.8W(Ta), 188W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)
공급 장치 패키지
PG-TO263-7-U02PowerPAK® 1212-8SH
패키지/케이스
PowerPAK® 1212-8SHTO-263-7, D2PAK(6리드 + 탭)
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가격
계열
포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
PowerPAK 1212-8SH
SISH112DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
Vishay Siliconix
5,615
재고 있음
1 : ₩1,978.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩819.98867
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
11.3A(Tc)
4.5V, 10V
7.5m옴 @ 17.8A, 10V
1.5V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±12V
2610 pF @ 15 V
-
1.5W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
989
재고 있음
1 : ₩4,468.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,557.22375
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
35A(Ta), 223A(Tc)
6V, 10V
1.7m옴 @ 100A, 10V
3.3V @ 129µA
162 nC @ 10 V
±20V
7300 pF @ 30 V
-
3.8W(Ta), 188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
표면 실장
PG-TO263-7-U02
TO-263-7, D2PAK(6리드 + 탭)
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단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.