1A(Tc) 단일 FET, MOSFET

검색 결과 : 69
제조업체
Diotec SemiconductorEPC Space, LLCFairchild SemiconductorGoford SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.NEC CorporationNXP USA Inc.onsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
계열
-Depletione-GaN®MESH OVERLAY™PolarPolar P3™PowerTrench®QFET®SGTSIPMOS®STripFET™ IISuperMESH™TrenchMOS™
포장
Digi-Reel®벌크컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)테이프 및 박스(TB)튜브
제품 현황
단종활성
FET 유형
N채널P채널
기술
GaNFET(질화 갈륨)MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
20 V60 V100 V120 V150 V200 V600 V650 V800 V1000 V1200 V1700 V2000 V2500 V
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
2.5V, 4.5V4.5V, 10V5V5V, 10V6V, 10V10V15V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
240m옴 @ 1A, 10V350m옴 @ 200mA, 4.5V580m옴 @ 1A, 5V670m옴 @ 1A, 10V800m옴 @ 1A, 10V800m옴 @ 500mA, 10V1.05옴 @ 500mA, 10V1.5옴 @ 500mA, 10V1.6옴 @ 1A, 10V1.9옴 @ 1A, 10V1.9옴 @ 1A, 5V3.25옴 @ 1A, 15V
Vgs(th)(최대) @ Id
1V @ 380µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 140µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 1mA3.7V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 50µA4.5V @ 250µA4.5V @ 50µA5V @ 250µA5.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.72 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 10 V5 nC @ 10 V5.2 nC @ 10 V5.7 nC @ 10 V5.8 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.1 nC @ 10 V6.2 nC @ 10 V7 nC @ 15 V7.2 nC @ 10 V7.7 nC @ 10 V
Vgs(최대)
+7V, -4V±10V±12V±20V±30V-
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
22 pF @ 30 V34 pF @ 20 V60 pF @ 25 V90 pF @ 25 V105 pF @ 25 V110 pF @ 10 V130 pF @ 100 V138 pF @ 25 V150 pF @ 25 V156 pF @ 25 V160 pF @ 25 V170 pF @ 25 V
FET 특징
-공핍 모드
내전력(최대)
500mW(Tc)560mW(Tc)1W(Ta), 22W(Tc)1.4W(Tc)1.8W(Ta)2W(Ta)2W(Tc)2.1W(Tc)2.5W(Ta), 28W(Tc)2.5W(Ta), 30W(Tc)2.5W(Ta), 45W(Tc)2.5W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)-
등급
-자동차
인증
-AEC-Q101
실장 유형
스루홀표면 실장
공급 장치 패키지
4-SMD8-QFN(3x3)DPAKIPAKISOPLUS i4-PAC™PG-SOT223-4PG-SOT223-4-21SC-70SOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-23-3
패키지/케이스
4-SMD, 무연8-PowerVDFNi4-Pac™-5(3 리드(Lead)SC-70, SOT-323TO-205AF 금속 캔TO-220-3TO-226-3, TO-92-3 긴 본체TO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-247-3TO-247-3 변형TO-251-3 짧은 리드, IPAK, TO-251AATO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63TO-261-3TO-261-4, TO-261AA
재고 옵션
환경 옵션
미디어
MARKETPLACE 제품
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제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
EPC7014UBC (primary)
EPC7014UBC
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
EPC Space, LLC
82
재고 있음
1 : ₩272,846.00000
벌크
벌크
활성
N채널
GaNFET(질화 갈륨)
60 V
1A(Tc)
5V
580m옴 @ 1A, 5V
2.5V @ 140µA
-
+7V, -4V
22 pF @ 30 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
4-SMD
4-SMD, 무연
SOT-223
STN1NF20
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
STMicroelectronics
35,547
재고 있음
1 : ₩993.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩379.74850
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
200 V
1A(Tc)
10V
1.5옴 @ 500mA, 10V
4V @ 250µA
5.7 nC @ 10 V
±20V
90 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
SOT-223
STN4NF20L
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
STMicroelectronics
6,173
재고 있음
1 : ₩1,021.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩385.87325
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
200 V
1A(Tc)
5V, 10V
1.5옴 @ 500mA, 10V
3V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD1NK60T4
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
STMicroelectronics
5,425
재고 있음
1 : ₩1,419.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩586.71080
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
1A(Tc)
10V
8.5옴 @ 500mA, 10V
3.7V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
DPAK
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD1NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
STMicroelectronics
2,467
재고 있음
1 : ₩1,532.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩630.90720
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
800 V
1A(Tc)
10V
16옴 @ 500mA, 10V
4.5V @ 50µA
7.7 nC @ 10 V
±30V
160 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
DPAK
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH1N200P3
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
IXYS
620
재고 있음
1 : ₩12,001.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
2000 V
1A(Tc)
10V
40옴 @ 500mA, 10V
4V @ 250µA
23.5 nC @ 10 V
±20V
646 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-263AB
IXTA1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Littelfuse Inc.
305
재고 있음
1 : ₩30,584.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
1700 V
1A(Tc)
10V
16옴 @ 500mA, 0V
-
47 nC @ 5 V
±20V
3090 pF @ 25 V
공핍 모드
290W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263HV
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
8,155
재고 있음
1 : ₩979.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩369.54040
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
1A(Tc)
10V
10옴 @ 500mA, 10V
4.5V @ 250µA
6.1 nC @ 10 V
±30V
138 pF @ 25 V
-
39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252(DPAK)
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-251-3 Long Leads IPak
STD1NK60-1
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
STMicroelectronics
5,728
재고 있음
1 : ₩1,064.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
1A(Tc)
10V
8.5옴 @ 500mA, 10V
3.7V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
IPAK
TO-251-3 짧은 리드, IPAK, TO-251AA
MFG_-TO-261-4,-TO-261AA
TSM1NB60CW RPG
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Taiwan Semiconductor Corporation
9,576
재고 있음
1 : ₩1,149.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩434.46520
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
1A(Tc)
10V
10옴 @ 500mA, 10V
4.5V @ 250µA
6.1 nC @ 10 V
±30V
138 pF @ 25 V
-
39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
RB098BM-40FNSTL
R8001CND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Rohm Semiconductor
2,427
재고 있음
1 : ₩2,341.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,397.28160
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
800 V
1A(Tc)
10V
8.7옴 @ 500mA, 10V
5.5V @ 1mA
7.2 nC @ 10 V
±30V
60 pF @ 25 V
-
36W(Tc)
150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
TO-252
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-263AB
IXTA1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Littelfuse Inc.
427
재고 있음
2,250
공장
1 : ₩7,235.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
1200 V
1A(Tc)
10V
20옴 @ 500mA, 10V
4.5V @ 50µA
17.6 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 25 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263AA
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
14,990
재고 있음
1 : ₩979.00000
튜브
-
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
1A(Tc)
10V
10옴 @ 500mA, 10V
4.5V @ 250µA
6.1 nC @ 10 V
±30V
138 pF @ 25 V
-
39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-251(IPAK)
TO-251-3 짧은 리드, IPAK, TO-251AA
R6002JND4TL1
R6002JND4TL1
600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Rohm Semiconductor
3,982
재고 있음
1 : ₩1,163.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩448.73675
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
1A(Tc)
15V
3.25옴 @ 1A, 15V
7V @ 100µA
7 nC @ 15 V
±30V
130 pF @ 100 V
-
6.6W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223-3
TO-261-3
TO-252AA
FQD1N80TM
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
onsemi
4,980
재고 있음
147,500
공장
1 : ₩1,419.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩586.71080
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
800 V
1A(Tc)
10V
20옴 @ 500mA, 10V
5V @ 250µA
7.2 nC @ 10 V
±30V
195 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta), 45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252AA
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
SSP1N60A
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
5,115
Marketplace
2,664 : ₩156.04167
벌크
-
벌크
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
1A(Tc)
10V
12옴 @ 500mA, 10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±30V
190 pF @ 25 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220
TO-220-3
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
SSP1N60B
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
3,644
Marketplace
1,902 : ₩226.96951
벌크
-
벌크
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
1A(Tc)
10V
12옴 @ 500mA, 10V
4V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±30V
215 pF @ 25 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220
TO-220-3
ONSONSCPH3239-TL-E
FDN363N
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
42,602
Marketplace
1,665 : ₩255.34054
벌크
벌크
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
1A(Tc)
6V, 10V
240m옴 @ 1A, 10V
4V @ 250µA
5.2 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
500mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SuperSOT™-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MJD32CTF-ON
FQD1N60TF
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Fairchild Semiconductor
42,509
Marketplace
952 : ₩436.48004
벌크
벌크
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
1A(Tc)
10V
11.5옴 @ 500mA, 10V
5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±30V
150 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta), 30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252(DPAK)
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
MJD32CTF-ON
FQD1N60TM
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Fairchild Semiconductor
4,980
Marketplace
888 : ₩463.76014
벌크
벌크
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
1A(Tc)
10V
11.5옴 @ 500mA, 10V
5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±30V
150 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta), 30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252(DPAK)
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
I-PAK
FQU1N80TU
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
onsemi
0
재고 있음
단종
튜브
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
800 V
1A(Tc)
10V
20옴 @ 500mA, 10V
5V @ 250µA
7.2 nC @ 10 V
±30V
195 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta), 45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
IPAK
TO-251-3 짧은 리드, IPAK, TO-251AA
GT6K2P10IH
GT6K2P10IH
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Goford Semiconductor
2,352
재고 있음
1 : ₩567.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩102.57600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
1A(Tc)
10V
670m옴 @ 1A, 10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
253 pF @ 50 V
-
1.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2,500
Marketplace
541 : ₩780.20887
벌크
-
벌크
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
1A(Tc)
10V
11옴 @ 500mA, 10V
3.5V @ 1mA
5 nC @ 10 V
±30V
110 pF @ 10 V
-
1W(Ta), 22W(Tc)
150°C
-
-
표면 실장
TO-252(MP-3ZK)
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-252AA
FQD1N60CTM
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
onsemi
0
재고 있음
3,555
Marketplace
1,110 : ₩368.28018
벌크
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
벌크
단종
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
1A(Tc)
10V
11.5옴 @ 500mA, 10V
4V @ 250µA
6.2 nC @ 10 V
±30V
170 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta), 28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252AA
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
HARHARIRF230
RFL1N15
N-CHANNEL POWER MOSFET
Harris Corporation
4,903
Marketplace
182 : ₩2,340.62637
벌크
-
벌크
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
150 V
1A(Tc)
10V
1.9옴 @ 1A, 10V
4V @ 250µA
-
±20V
200 pF @ 25 V
-
8.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-205AF(TO-39)
TO-205AF 금속 캔
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1A(Tc) 단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.