게이트 구동기

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제조업체 부품 번호
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DigiKey 프로그래밍 가능
구동 구성
채널 유형
구동기 개수
게이트 유형
전압 - 공급
논리 전압 - VIL, VIH
전류 - 피크 출력(소스, 싱크)
입력 유형
하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩)
상승/하강 시간(통상)
작동 온도
실장 유형
패키지/케이스
공급 장치 패키지
PG-SOT23-6-1
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
5,509
재고 있음
1 : ₩1,014.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩462.48233
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
검증되지 않음
고측면
단일
1
MOSFET(N-채널)
10V ~ 18V
0.8V, 2.2V
160mA, 240mA
비반전
100 V
85ns, 40ns
-40°C ~ 125°C(TJ)
표면 실장
SOT-23-6
PG-SOT23-6
1ED44173N01BXTSA1
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
10,762
재고 있음
1 : ₩1,102.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩506.88167
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
검증되지 않음
저측면
단일
1
MOSFET(N-채널)
8.6V ~ 20V
1.2V, 1.9V
2.6A, 2.6A
비반전
-
5ns, 5ns
-40°C ~ 125°C(TA)
표면 실장
SOT-23-6
PG-SOT23-6-3
IR21271STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
32,139
재고 있음
1 : ₩1,234.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩579.57880
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
검증되지 않음
하프브리지
독립적
2
IGBT, MOSFET(N-채널)
10V ~ 20V
0.8V, 2.5V
290mA, 600mA
비반전
200 V
70ns, 30ns
-40°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SOIC
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Infineon Technologies
2,617
재고 있음
1 : ₩1,587.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩757.12040
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
검증되지 않음
저측면
독립적
2
IGBT, MOSFET(N-채널)
6V ~ 20V
0.8V, 2.5V
2.3A, 3.3A
비반전
-
25ns, 25ns
-40°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SOIC
14-SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO
Infineon Technologies
1,626
재고 있음
1 : ₩3,115.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,593.64760
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
검증되지 않음
하프브리지
독립적
2
MOSFET(N-채널, P-채널)
10V ~ 17.5V
1.1V, 1.7V
1.8A, 2.3A
비반전
600 V
48ns, 37ns
-40°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
14-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
PG-DSO-14-2
6EDL04N02PRXUMA1
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP
Infineon Technologies
11,902
재고 있음
1 : ₩4,673.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩2,269.85967
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
검증되지 않음
하프브리지
3상
6
IGBT, MOSFET(N-채널, P-채널)
10V ~ 17.5V
1.1V, 1.7V
-
비반전
200 V
60ns, 26ns
-40°C ~ 125°C(TJ)
표면 실장
28-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비)
PG-TSSOP-28
IR21271STRPBF
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Infineon Technologies
4,192
재고 있음
1 : ₩1,323.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩621.78920
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
검증되지 않음
고측면
단일
1
IGBT, MOSFET(N-채널)
9V ~ 20V
0.8V, 2.5V
290mA, 600mA
비반전
600 V
80ns, 40ns
-40°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SOIC
IR21271STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
66
재고 있음
1 : ₩1,602.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩769.62880
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
검증되지 않음
하프브리지
독립적
2
MOSFET(N-채널)
10V ~ 20V
0.7V, 2.5V
1A, 1A
반전
200 V
25ns, 15ns
-40°C ~ 150°C(TJ)
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SOIC
16-SOIC 7,5
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Infineon Technologies
0
재고 있음
리드 타임 확인
1 : ₩3,306.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩1,765.54000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
검증되지 않음
하프브리지
독립적
2
MOSFET(N-채널, P-채널)
20V
-, 1.65V
1A, 2A
비반전
-
6.5ns, 4.5ns
-40°C ~ 125°C(TA)
표면 실장
16-SOIC(0.295", 7.50mm 너비)
PG-DSO-16-30
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게이트 구동기


게이트 구동기 PMIC(Power Management Integrated Circuits)는 전력 변환 응용 제품의 제어 장치로부터 제어 대상 전력이 통과하는 반도체 장치(일반적으로 FET 또는 IGBT)로 전달되는 신호의 인터페이스에 필요한 절연, 증폭, 레퍼런스 변경, 부트스트랩, 기타 기능을 제공하는 장치입니다. 장치마다 제공하는 정확한 기능은 다르지만 구동하도록 설계된 반도체 구성과 관련이 있습니다.