Wolfspeed, Inc. 단일 다이오드
제조업체 부품 번호 | 주문 가능 수량 | 가격 | 계열 | 포장 | 제품 현황 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역회복 시간(trr) | 전류 - 역누설 @ Vr | 정전 용량 @ Vr, F | 등급 | 인증 | 실장 유형 | 패키지/케이스 | 공급 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 | |
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639 재고 있음 | 1 : ₩3,363.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩911.16520 테이프 및 릴(TR) | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 4A | 1.8 V @ 1 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 100 µA @ 600 V | 80pF @ 0V, 1MHz | - | - | 표면 실장 | TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63 | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C | |||
4,544 재고 있음 | 1 : ₩4,175.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 13.5A | 1.8 V @ 4 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 251pF @ 0V, 1MHz | - | - | 스루홀 | TO-220-2 | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C | |||
172 재고 있음 | 1 : ₩4,445.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩1,344.45280 테이프 및 릴(TR) | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.8 V @ 2 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 167pF @ 0V, 1MHz | - | - | 표면 실장 | TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63 | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C | |||
1,792 재고 있음 | 1 : ₩4,517.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.8 V @ 2 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 167pF @ 0V, 1MHz | - | - | 표면 실장 | TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63 | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C | |||
2,211 재고 있음 | 1 : ₩5,557.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 19A | 1.8 V @ 6 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 294pF @ 0V, 1MHz | - | - | 스루홀 | TO-220-2 | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C | |||
129 재고 있음 | 1 : ₩5,557.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 11.5A | 1.8 V @ 6 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 294pF @ 0V, 1MHz | - | - | 스루홀 | TO-220-2 풀팩(Full Pack) | TO-220-F2 | -55°C ~ 175°C | |||
1,729 재고 있음 | 1 : ₩7,922.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 29A | 1.8 V @ 10 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 480pF @ 0V, 1MHz | - | - | 표면 실장 | TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB | TO-263-2 | -55°C ~ 175°C | |||
3,836 재고 있음 | 1 : ₩8,364.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 32A | 1.8 V @ 10 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 460.5pF @ 0V, 1MHz | - | - | 표면 실장 | TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63 | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C | |||
2,712 재고 있음 | 1 : ₩8,620.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 19A | 1.8 V @ 5 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 390pF @ 0V, 1MHz | - | - | 표면 실장 | TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63 | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C | |||
383 재고 있음 | 1 : ₩11,213.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 24.5A | 1.8 V @ 7.5 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 250 µA @ 1200 V | 560pF @ 0V, 1MHz | - | - | 스루홀 | TO-220-2 | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C | |||
5,173 재고 있음 | 1 : ₩14,661.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 33A | 1.8 V @ 10 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 250 µA @ 1200 V | 754pF @ 0V, 1MHz | - | - | 표면 실장 | TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63 | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C | |||
1,550 재고 있음 | 1 : ₩14,661.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 33A | 1.8 V @ 10 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 250 µA @ 1200 V | 754pF @ 0V, 1MHz | - | - | 스루홀 | TO-220-2 | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C | |||
781 재고 있음 | 1 : ₩16,670.00000 튜브 | - | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 1700 V | 21A | 1.7 V @ 5 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 9 µA @ 1700 V | 638pF @ 0V, 1MHz | - | - | 스루홀 | TO-247-2 | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C | ||
2,686 재고 있음 | 1 : ₩19,363.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩8,646.36480 테이프 및 릴(TR) | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 33A | 1.8 V @ 10 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 250 µA @ 1200 V | 754pF @ 0V, 1MHz | - | - | 표면 실장 | TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63 | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C | |||
810 재고 있음 | 1 : ₩29,080.00000 튜브 | - | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 1700 V | 40A | 1.7 V @ 10 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 18 µA @ 1700 V | 1227pF @ 0V, 1MHz | - | - | 스루홀 | TO-247-2 | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C | ||
578 재고 있음 | 1 : ₩43,300.00000 튜브 | - | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 128A | 1.8 V @ 40 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | - | 300 µA @ 1200 V | 2809pF @ 0V, 1MHz | - | - | 스루홀 | TO-247-2 | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C | ||
6,579 재고 있음 | 1 : ₩3,348.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 4A | 1.8 V @ 1 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 100 µA @ 600 V | 80pF @ 0V, 1MHz | - | - | 스루홀 | TO-220-2 | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C | |||
1,907 재고 있음 | 1 : ₩3,348.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 4A | 1.8 V @ 1 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 100 µA @ 600 V | 80pF @ 0V, 1MHz | - | - | 표면 실장 | TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63 | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C | |||
6,330 재고 있음 | 1 : ₩3,448.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 8A | 1.7 V @ 2 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 120pF @ 0V, 1MHz | - | - | 표면 실장 | TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63 | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C | |||
5,747 재고 있음 | 1 : ₩3,448.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 6A | 1.7 V @ 2 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 120pF @ 0V, 1MHz | - | - | 스루홀 | TO-220-2 전체 팩(Pack), 절연 탭 | TO-220-F2 | -55°C ~ 175°C | |||
6,685 재고 있음 | 1 : ₩3,462.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 8A | 1.8 V @ 2 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 120pF @ 0V, 1MHz | - | - | 표면 실장 | TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63 | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C | |||
14,799 재고 있음 | 1 : ₩3,576.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 11A | 1.7 V @ 3 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 155pF @ 0V, 1MHz | - | - | 표면 실장 | TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63 | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C | |||
1,958 재고 있음 | 1 : ₩3,761.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 13.5A | 1.7 V @ 4 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 251pF @ 0V, 1MHz | - | - | 표면 실장 | TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63 | TO-252-2 | -55°C ~ 175°C | |||
619 재고 있음 | 1 : ₩4,118.00000 튜브 | - | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 18A | 1.27 V @ 4 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | - | - | - | - | 스루홀 | TO-220-2 | TO-220-2 | - | ||
1,391 재고 있음 | 1 : ₩4,445.00000 튜브 | 튜브 | 활성 | SiC(Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.8 V @ 2 A | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 167pF @ 0V, 1MHz | - | - | 스루홀 | TO-220-2 | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |