SiC(Silicon Carbide) Schottky 단일 다이오드

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제조업체 부품 번호	주문 가능 수량	가격	계열	포장	제품 현황	기술	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전류 - 평균 정류(Io)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	속도	역회복 시간(trr)	전류 - 역누설 @ Vr	정전 용량 @ Vr, F	등급	인증	실장 유형	패키지/케이스	공급 장치 패키지	작동 온도 - 접합
GD02MPS12E DIODE SIL CARB 1200V 8A TO2522 Navitas Semiconductor, Inc.	2,607 재고 있음	1 : ₩2,798.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩1,406.79560 테이프 및 릴(TR)	SiC Schottky MPS™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	최종 구매 가능일	SiC(Silicon Carbide) Schottky	1200 V	8A	1.8 V @ 2 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	5 µA @ 1200 V	73pF @ 1V, 1MHz	-	-	표면 실장	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
IDL04G65C5XUMA2 DIODE SIL CARB 650V 4A PGVSON4 Infineon Technologies	1,016 재고 있음	1 : ₩3,883.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩1,108.93033 테이프 및 릴(TR)	CoolSiC™+	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	650 V	4A	1.7 V @ 4 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	70 µA @ 650 V	130pF @ 1V, 1MHz	-	-	표면 실장	4-PowerTSFN	PG-VSON-4	-55°C ~ 175°C
C3D04060E-TR DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252 Wolfspeed, Inc.	2,387 재고 있음	1 : ₩4,005.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩1,288.76000 테이프 및 릴(TR)	Z-Rec®	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	600 V	13.5A	1.8 V @ 4 A	고속 회복 =< 500ns, > 200mA(Io)	-	50 µA @ 600 V	251pF @ 0V, 1MHz	-	-	표면 실장	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
C4D02120E DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522 Wolfspeed, Inc.	5,344 재고 있음	1 : ₩4,693.00000 튜브	Z-Rec®	튜브	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 2 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	50 µA @ 1200 V	167pF @ 0V, 1MHz	-	-	표면 실장	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
GB01SLT06-214 DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA Navitas Semiconductor, Inc.	22,649 재고 있음	1 : ₩4,953.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩1,488.38367 테이프 및 릴(TR)	SiC Schottky MPS™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	650 V	1A	2 V @ 1 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	10 µA @ 6.5 V	76pF @ 1V, 1MHz	-	-	표면 실장	DO-214AA, SMB	DO-214AA	-55°C ~ 175°C
STPSC10H065B-TR DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK STMicroelectronics	179 재고 있음	1 : ₩5,381.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩1,667.34000 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	650 V	10A	1.75 V @ 10 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	100 µA @ 650 V	480pF @ 0V, 1MHz	-	-	표면 실장	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63	DPAK	-40°C ~ 175°C
IDM08G120C5XTMA1 DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522 Infineon Technologies	3,279 재고 있음	1 : ₩5,840.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩1,838.98760 테이프 및 릴(TR)	CoolSiC™+	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	1200 V	8A	1.95 V @ 8 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	40 µA @ 1200 V	365pF @ 1V, 1MHz	-	-	표면 실장	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63	PG-TO252-2	-55°C ~ 175°C
C3D06060A DIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2 Wolfspeed, Inc.	21,005 재고 있음	1 : ₩5,855.00000 튜브	Z-Rec®	튜브	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	600 V	19A	1.8 V @ 6 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	294pF @ 0V, 1MHz	-	-	스루홀	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
C3D06060F DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2 Wolfspeed, Inc.	10,777 재고 있음	1 : ₩5,855.00000 튜브	Z-Rec®	튜브	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	600 V	11.5A	1.8 V @ 6 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	294pF @ 0V, 1MHz	-	-	스루홀	TO-220-2 풀팩(Full Pack)	TO-220-F2	-55°C ~ 175°C
STPSC10H065BY-TR DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK STMicroelectronics	2,965 재고 있음	1 : ₩7,048.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩2,303.70600 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	650 V	10A	-	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	100 µA @ 650 V	480pF @ 0V, 1MHz	자동차	AEC-Q101	표면 실장	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63	DPAK	-40°C ~ 175°C
GP3D005A170B DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472 SemiQ	2,339 재고 있음	1 : ₩7,170.00000 튜브	Amp+™	튜브	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	1700 V	21A	1.65 V @ 5 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	20 µA @ 1700 V	347pF @ 1V, 1MHz	-	-	스루홀	TO-247-2	TO-247-2	-55°C ~ 175°C
GB01SLT12-214 DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB Navitas Semiconductor, Inc.	10,530 재고 있음	1 : ₩7,308.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩2,375.37300 테이프 및 릴(TR)	SiC Schottky MPS™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	1200 V	1A	1.8 V @ 1 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	5 µA @ 1200 V	61pF @ 1V, 1MHz	-	-	표면 실장	DO-214AA, SMB	DO-214AA(SMB)	-55°C ~ 175°C
GD10MPS12A DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220 Navitas Semiconductor, Inc.	2,476 재고 있음	1 : ₩7,675.00000 튜브	SiC Schottky MPS™	튜브	최종 구매 가능일	SiC(Silicon Carbide) Schottky	1200 V	25A	1.8 V @ 10 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	5 µA @ 1200 V	367pF @ 1V, 1MHz	-	-	스루홀	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
IDL12G65C5XUMA2 DIODE SIL CARB 650V 12A PGVSON4 Infineon Technologies	331 재고 있음	1 : ₩8,041.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩2,704.82933 테이프 및 릴(TR)	CoolSiC™+	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	650 V	12A	1.7 V @ 12 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	190 µA @ 650 V	360pF @ 1V, 1MHz	-	-	표면 실장	4-PowerTSFN	PG-VSON-4	-55°C ~ 150°C
C3D10060A DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2 Wolfspeed, Inc.	5,929 재고 있음	1 : ₩8,531.00000 튜브	Z-Rec®	튜브	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	600 V	30A	1.8 V @ 10 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	480pF @ 0V, 1MHz	-	-	스루홀	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
C3D10060G DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2 Wolfspeed, Inc.	1,496 재고 있음	1 : ₩8,531.00000 튜브	Z-Rec®	튜브	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	600 V	29A	1.8 V @ 10 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	480pF @ 0V, 1MHz	-	-	표면 실장	TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB	TO-263-2	-55°C ~ 175°C
C4D05120E DIODE SIL CARB 1200V 19A TO2522 Wolfspeed, Inc.	9,591 재고 있음	1 : ₩9,188.00000 튜브	Z-Rec®	튜브	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	1200 V	19A	1.8 V @ 5 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	150 µA @ 1200 V	390pF @ 0V, 1MHz	-	-	표면 실장	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
IDH16G65C6XKSA1 DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220 Infineon Technologies	2,869 재고 있음	1 : ₩10,518.00000 튜브	-	튜브	기존 설계 전용	SiC(Silicon Carbide) Schottky	650 V	34A	1.35 V @ 16 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	53 µA @ 420 V	783pF @ 1V, 1MHz	-	-	스루홀	TO-220-2	PG-TO220-2	-55°C ~ 175°C
IDDD16G65C6XTMA1 DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101 Infineon Technologies	400 재고 있음	1 : ₩10,961.00000 컷 테이프(CT) 1,700 : ₩4,025.51941 테이프 및 릴(TR)	CoolSiC™+	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	기존 설계 전용	SiC(Silicon Carbide) Schottky	650 V	43A	-	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	53 µA @ 420 V	783pF @ 1V, 1MHz	-	-	표면 실장	10-PowerSOP 모듈	PG-HDSOP-10-1	-55°C ~ 175°C
STPSC20065GY-TR DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK STMicroelectronics	1,666 재고 있음	1 : ₩11,176.00000 컷 테이프(CT) 1,000 : ₩4,305.11600 테이프 및 릴(TR)	ECOPACK®2	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	650 V	20A	1.45 V @ 20 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	150 µA @ 600 V	1250pF @ 0V, 1MHz	자동차	AEC-Q101	표면 실장	TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB	D2PAK	-40°C ~ 175°C
FFSD10120A DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA onsemi	4,990 재고 있음	1 : ₩11,558.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩4,386.50640 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	1200 V	-	1.75 V @ 10 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	200 µA @ 1200 V	612pF @ 1V, 100kHz	-	-	표면 실장	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63	TO-252AA	-
IDH20G65C6XKSA1 DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220 Infineon Technologies	1,677 재고 있음	1 : ₩12,246.00000 튜브	-	튜브	기존 설계 전용	SiC(Silicon Carbide) Schottky	650 V	41A	1.35 V @ 20 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	67 µA @ 420 V	970pF @ 1V, 1MHz	-	-	스루홀	TO-220-2	PG-TO220-2	-55°C ~ 175°C
FFSB3065B DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263 onsemi	979 재고 있음	1 : ₩12,536.00000 컷 테이프(CT) 800 : ₩5,023.06375 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	SiC(Silicon Carbide) Schottky	650 V	73A	1.7 V @ 30 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	40 µA @ 650 V	1280pF @ 1V, 100kHz	-	-	표면 실장	TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB	TO-263(D2PAK)	-55°C ~ 175°C
IDDD20G65C6XTMA1 DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101 Infineon Technologies	1,700 재고 있음	1 : ₩12,704.00000 컷 테이프(CT) 1,700 : ₩4,973.56412 테이프 및 릴(TR)	CoolSiC™+	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	기존 설계 전용	SiC(Silicon Carbide) Schottky	650 V	51A	-	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	67 µA @ 420 V	970pF @ 1V, 1MHz	-	-	표면 실장	10-PowerSOP 모듈	PG-HDSOP-10-1	-55°C ~ 175°C
GD05MPS17J-TR DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637 Navitas Semiconductor, Inc.	5,600 재고 있음	1 : ₩13,132.00000 컷 테이프(CT) 800 : ₩5,303.79000 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	최종 구매 가능일	SiC(Silicon Carbide) Schottky	1700 V	15A	1.8 V @ 5 A	제로 회복 시간 > 500mA(Io)	0 ns	20 µA @ 1700 V	361pF @ 1V, 1MHz	-	-	표면 실장	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA	TO-263-7	-55°C ~ 175°C

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정류기 다이오드의 종류

표준 정류기 다이오드

표준 다이오드(실리콘 PN 접합) 표준 다이오드는 PN 접합을 갖춘 실리콘으로 만들어진 가장 기본적인 유형의 정류기 다이오드입니다. 일반적으로 AC-DC 컨버터, 전력 정류 및 일반 회로 보호에 사용됩니다. 이러한 다이오드는 일반적으로 약 0.7V의 순방향 전압 강하를 가지며 저주파 스위칭에 가장 적합합니다. 역회복 시간(전원을 껐을 때 전도가 멈추는 속도)이 비교적 느리기 때문에 고속 응용 분야에서의 사용이 제한됩니다. 또한 역방향 누설 전류가 낮아 정상 상태 작동에 안정적으로 사용할 수 있습니다.

쇼트키 배리어 다이오드(SBD)
쇼트키 다이오드(SBD)는 기존의 PN 접합 대신 금속-반도체 접합을 사용하므로 스위칭 속도가 빠르고 순방향 전압 강하가 0.2V에서 0.4V 사이로 낮습니다. 따라서 이 제품은 DC-DC 컨버터, 고효율 전원 공급 장치, 전력 손실을 최소화하는 것이 중요한 회로에 이상적입니다. 그러나 SBD의 한 가지 단점은 특히 고온에서 역방향 누설 전류가 더 높다는 것입니다. 이는 정밀 기기나 배터리로 작동하는 기기에 문제가 될 수 있습니다.

슈퍼 배리어 정류기(SBR)
슈퍼 배리어 정류기(SBR)는 표준 다이오드와 쇼트키 다이오드의 장점을 결합한 제품입니다. 이 제품은 SBD와 마찬가지로 순방향 전압 강하가 낮지만, 역방향 누설 전류가 훨씬 낮고 역방향 전압 처리 능력이 향상되었습니다. SBR은 에너지 효율과 열 안정성이 중요한 스위칭 전력 컨버터, 어댑터 및 자동차 전자 장치에 적합합니다. 해당 응용 분야에 주변 온도가 더 높거나 전압 과도 현상이 큰 경우 쇼트키 다이오드보다 이 다이오드가 더 나은 선택인 경우가 많습니다.

애벌랜치 다이오드
애벌랜치 다이오드는 역방향 파괴 모드에서 안정적으로 작동하도록 설계되었으며, 특정 역방향 전압 임계값을 초과하면 전류가 안전하게 전도됩니다. 고장으로 인해 손상될 수 있는 일반 다이오드와 달리, 애벌랜치 다이오드는 이러한 상황을 반복적이고 예측 가능하게 처리하도록 제작되었습니다.

실리콘 카바이드(SiC) 다이오드
SiC 다이오드는 매우 높은 전압(600V 이상)과 극한의 온도(>150°C)를 처리할 수 있는 광대역 밴드갭 소재인 실리콘 카바이드로 제작됩니다. 이 제품은 산업용 컨버터, 전기 자동차 충전기, 태양광 인버터 및 모터 구동기, 특히 빠른 스위칭과 제로 역회복 시간이 필요한 회로에 이상적입니다. 실리콘 기반 다이오드보다 가격이 비싸지만, 높은 전압과 주파수에서 내구성과 효율성이 뛰어나 까다로운 응용 분야에서 장기적으로 가장 좋은 선택이 되는 경우가 많습니다.

정류기 다이오드의 종류

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