SiC(Silicon Carbide) Schottky 단일 다이오드

검색 결과 : 1,552
재고 옵션
환경 옵션
미디어
제외
1,552검색 결과
적용된 검색 기준 모두 제거
보기
/ 1,552
제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
기술
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)
전류 - 평균 정류(Io)
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If
속도
역회복 시간(trr)
전류 - 역누설 @ Vr
정전 용량 @ Vr, F
등급
인증
실장 유형
패키지/케이스
공급 장치 패키지
작동 온도 - 접합
DO-214AA, SMB
GB01SLT06-214
DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
GeneSiC Semiconductor
18,876
재고 있음
1 : ₩2,322.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩1,439.05733
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
650 V
1A
2 V @ 1 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
10 µA @ 6.5 V
76pF @ 1V, 1MHz
-
-
표면 실장
DO-214AA, SMB
DO-214AA
-55°C ~ 175°C
IDH20G65C6XKSA1
IDH04G65C6XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Infineon Technologies
7,344
재고 있음
1 : ₩3,320.00000
튜브
-
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
650 V
12A
1.35 V @ 4 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
14 µA @ 420 V
205pF @ 1V, 1MHz
-
-
스루홀
TO-220-2
PG-TO220-2
-55°C ~ 175°C
CSD01060E-TR
CSD01060E-TR
DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Wolfspeed, Inc.
639
재고 있음
1 : ₩3,363.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩911.16520
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
600 V
4A
1.8 V @ 1 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
100 µA @ 600 V
80pF @ 0V, 1MHz
-
-
표면 실장
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
IDM02G120C5XTMA1
DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522
Infineon Technologies
4,561
재고 있음
1 : ₩3,576.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,055.16120
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
1200 V
2A
1.65 V @ 2 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
18 µA @ 1200 V
182pF @ 1V, 1MHz
-
-
표면 실장
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
PG-TO252-2
-55°C ~ 175°C
C2D05120A
C3D04060A
DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO220
Wolfspeed, Inc.
4,544
재고 있음
1 : ₩4,175.00000
튜브
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
600 V
13.5A
1.8 V @ 4 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
251pF @ 0V, 1MHz
-
-
스루홀
TO-220-2
TO-220-2
-55°C ~ 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D02120E-TR
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Wolfspeed, Inc.
172
재고 있음
1 : ₩4,445.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,344.45280
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 2 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
167pF @ 0V, 1MHz
-
-
표면 실장
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D02120E
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Wolfspeed, Inc.
1,792
재고 있음
1 : ₩4,517.00000
튜브
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 2 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
167pF @ 0V, 1MHz
-
-
표면 실장
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
UJ3D06508TS
UJ3D1202TS
DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
onsemi
6,632
재고 있음
1 : ₩4,802.00000
튜브
-
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
1200 V
2A
1.6 V @ 5 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
22 µA @ 1200 V
109pF @ 1V, 1MHz
-
-
스루홀
TO-220-2
TO-220-2
-55°C ~ 175°C
GE12MPS06E
GD10MPS12E
DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
GeneSiC Semiconductor
7,754
재고 있음
1 : ₩5,101.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩3,291.31080
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
1200 V
29A
1.8 V @ 10 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
5 µA @ 1200 V
367pF @ 1V, 1MHz
-
-
표면 실장
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
GD10MPS12A
DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
GeneSiC Semiconductor
2,806
재고 있음
1 : ₩5,542.00000
튜브
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
1200 V
25A
1.8 V @ 10 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
5 µA @ 1200 V
367pF @ 1V, 1MHz
-
-
스루홀
TO-220-2
TO-220-2
-55°C ~ 175°C
C2D05120A
C3D06060A
DIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2
Wolfspeed, Inc.
2,211
재고 있음
1 : ₩5,557.00000
튜브
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
600 V
19A
1.8 V @ 6 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
294pF @ 0V, 1MHz
-
-
스루홀
TO-220-2
TO-220-2
-55°C ~ 175°C
C3D02060F
C3D06060F
DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2
Wolfspeed, Inc.
129
재고 있음
1 : ₩5,557.00000
튜브
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
600 V
11.5A
1.8 V @ 6 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
294pF @ 0V, 1MHz
-
-
스루홀
TO-220-2 풀팩(Full Pack)
TO-220-F2
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
IDH05G120C5XKSA1
DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201
Infineon Technologies
1,085
재고 있음
1 : ₩5,656.00000
튜브
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
1200 V
5A
1.8 V @ 5 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
33 µA @ 1200 V
301pF @ 1V, 1MHz
-
-
스루홀
TO-220-2
PG-TO220-2-1
-55°C ~ 175°C
IDH20G65C6XKSA1
IDH10G65C6XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 24A PGTO220
Infineon Technologies
2,240
재고 있음
1 : ₩5,884.00000
튜브
-
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
650 V
24A
1.35 V @ 10 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
33 µA @ 420 V
495pF @ 1V, 1MHz
-
-
스루홀
TO-220-2
PG-TO220-2
-55°C ~ 175°C
GP3D020A170B
GP3D005A170B
DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
SemiQ
1,014
재고 있음
1 : ₩6,184.00000
튜브
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
1700 V
21A
1.65 V @ 5 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
20 µA @ 1700 V
347pF @ 1V, 1MHz
-
-
스루홀
TO-247-2
TO-247-2
-55°C ~ 175°C
DPAK
STPSC10H065B-TR
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
STMicroelectronics
5,588
재고 있음
1 : ₩6,312.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩2,218.76680
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
650 V
10A
1.75 V @ 10 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
100 µA @ 650 V
480pF @ 0V, 1MHz
-
-
표면 실장
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
DPAK
-40°C ~ 175°C
TO-247-2
GD05MPS17H
DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
GeneSiC Semiconductor
584
재고 있음
1 : ₩7,537.00000
튜브
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
1700 V
15A
1.8 V @ 5 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
20 µA @ 1700 V
361pF @ 1V, 1MHz
-
-
스루홀
TO-247-2
TO-247-2
-55°C ~ 175°C
D2PAK
STPSC10H12G-TR
DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
STMicroelectronics
846
재고 있음
1 : ₩7,594.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩3,625.11900
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.5 V @ 10 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
60 µA @ 1200 V
725pF @ 0V, 1MHz
-
-
표면 실장
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
D2PAK
-40°C ~ 175°C
TO-220-2
IDH10G120C5XKSA1
DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201
Infineon Technologies
633
재고 있음
1 : ₩7,665.00000
튜브
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 10 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
62 µA @ 1200 V
525pF @ 1V, 1MHz
-
-
스루홀
TO-220-2
PG-TO220-2-1
-55°C ~ 175°C
C3D06060G
C3D10060G
DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2
Wolfspeed, Inc.
1,729
재고 있음
1 : ₩7,922.00000
튜브
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
600 V
29A
1.8 V @ 10 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
480pF @ 0V, 1MHz
-
-
표면 실장
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263-2
-55°C ~ 175°C
C2D05120E
C3D10065E
DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2
Wolfspeed, Inc.
3,836
재고 있음
1 : ₩8,364.00000
튜브
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
650 V
32A
1.8 V @ 10 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
50 µA @ 650 V
460.5pF @ 0V, 1MHz
-
-
표면 실장
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
IDH20G65C6XKSA1
IDH16G65C6XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220
Infineon Technologies
6,418
재고 있음
1 : ₩8,406.00000
튜브
-
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
650 V
34A
1.35 V @ 16 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
53 µA @ 420 V
783pF @ 1V, 1MHz
-
-
스루홀
TO-220-2
PG-TO220-2
-55°C ~ 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D05120E
DIODE SIL CARB 1200V 19A TO2522
Wolfspeed, Inc.
2,712
재고 있음
1 : ₩8,620.00000
튜브
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
1200 V
19A
1.8 V @ 5 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
150 µA @ 1200 V
390pF @ 0V, 1MHz
-
-
표면 실장
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
D2PAK
STPSC20065GY-TR
DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
STMicroelectronics
781
재고 있음
1 : ₩9,090.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩4,336.92000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
650 V
20A
1.45 V @ 20 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
150 µA @ 600 V
1250pF @ 0V, 1MHz
자동차
AEC-Q101
표면 실장
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
D2PAK
-40°C ~ 175°C
RFV15TG6SGC9
SCS215AGC17
DIODE SIC 650V 15A TO220ACFP
Rohm Semiconductor
597
재고 있음
1 : ₩9,290.00000
튜브
-
튜브
활성
SiC(Silicon Carbide) Schottky
650 V
15A
1.55 V @ 15 A
회복 시간 없음 > 500mA(Io)
0 ns
300 µA @ 600 V
550pF @ 1V, 1MHz
-
-
스루홀
TO-220-2
TO-220ACFP
175°C
보기
/ 1,552

정류기 다이오드의 종류

    표준 정류기 다이오드
  • 표준 다이오드(실리콘 PN 접합) 표준 다이오드는 PN 접합을 갖춘 실리콘으로 만들어진 가장 기본적인 유형의 정류기 다이오드입니다. 일반적으로 AC-DC 컨버터, 전력 정류 및 일반 회로 보호에 사용됩니다. 이러한 다이오드는 일반적으로 약 0.7V의 순방향 전압 강하를 가지며 저주파 스위칭에 가장 적합합니다. 역회복 시간(전원을 껐을 때 전도가 멈추는 속도)이 비교적 느리기 때문에 고속 응용 분야에서의 사용이 제한됩니다. 또한 역방향 누설 전류가 낮아 정상 상태 작동에 안정적으로 사용할 수 있습니다.

  • 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)
    쇼트키 다이오드(SBD)는 기존의 PN 접합 대신 금속-반도체 접합을 사용하므로 스위칭 속도가 빠르고 순방향 전압 강하가 0.2V에서 0.4V 사이로 낮습니다. 따라서 이 제품은 DC-DC 컨버터, 고효율 전원 공급 장치, 전력 손실을 최소화하는 것이 중요한 회로에 이상적입니다. 그러나 SBD의 한 가지 단점은 특히 고온에서 역방향 누설 전류가 더 높다는 것입니다. 이는 정밀 기기나 배터리로 작동하는 기기에 문제가 될 수 있습니다.

  • 슈퍼 배리어 정류기(SBR)
    슈퍼 배리어 정류기(SBR)는 표준 다이오드와 쇼트키 다이오드의 장점을 결합한 제품입니다. 이 제품은 SBD와 마찬가지로 순방향 전압 강하가 낮지만, 역방향 누설 전류가 훨씬 낮고 역방향 전압 처리 능력이 향상되었습니다. SBR은 에너지 효율과 열 안정성이 중요한 스위칭 전력 컨버터, 어댑터 및 자동차 전자 장치에 적합합니다. 해당 응용 분야에 주변 온도가 더 높거나 전압 과도 현상이 큰 경우 쇼트키 다이오드보다 이 다이오드가 더 나은 선택인 경우가 많습니다.

  • 애벌랜치 다이오드
    애벌랜치 다이오드는 역방향 파괴 모드에서 안정적으로 작동하도록 설계되었으며, 특정 역방향 전압 임계값을 초과하면 전류가 안전하게 전도됩니다. 고장으로 인해 손상될 수 있는 일반 다이오드와 달리, 애벌랜치 다이오드는 이러한 상황을 반복적이고 예측 가능하게 처리하도록 제작되었습니다.
    • 고속 스위칭 정류에서는 애벌랜치 다이오드가 표준 PN 다이오드보다 선호되는 경우가 있는데, 이는 역방향 회복 동작이 개선되어 스위칭 손실이 줄어들고 전체 컨버터 효율이 향상되기 때문입니다. 성능 저하 없이 높은 역전압 과도 상태를 견딜 수 있어 스너버 회로, 플라이백 컨버터 및 하드 스위치 토폴로지에 특히 적합합니다.

  • 실리콘 카바이드(SiC) 다이오드
    SiC 다이오드는 매우 높은 전압(600V 이상)과 극한의 온도(>150°C)를 처리할 수 있는 광대역 밴드갭 소재인 실리콘 카바이드로 제작됩니다. 이 제품은 산업용 컨버터, 전기 자동차 충전기, 태양광 인버터 및 모터 구동기, 특히 빠른 스위칭과 제로 역회복 시간이 필요한 회로에 이상적입니다. 실리콘 기반 다이오드보다 가격이 비싸지만, 높은 전압과 주파수에서 내구성과 효율성이 뛰어나 까다로운 응용 분야에서 장기적으로 가장 좋은 선택이 되는 경우가 많습니다.