섀시, 스터드 실장 단일 다이오드

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제조업체 부품 번호	주문 가능 수량	가격	계열	포장	제품 현황	기술	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전류 - 평균 정류(Io)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	속도	역회복 시간(trr)	전류 - 역누설 @ Vr	정전 용량 @ Vr, F	등급	인증	실장 유형	패키지/케이스	공급 장치 패키지	작동 온도 - 접합
1N1200A DIODE STANDARD 100V 12A DO4 Navitas Semiconductor, Inc.	1,088 재고 있음	1 : ₩12,335.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	100 V	12A	1.1 V @ 12 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	10 µA @ 50 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AA, DO-4, 스터드	DO-4	-65°C ~ 200°C
1N1186A DIODE STANDARD 200V 40A DO5 Navitas Semiconductor, Inc.	281 재고 있음	1 : ₩15,744.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	200 V	40A	1.1 V @ 40 A	-	-	10 µA @ 50 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-5	-65°C ~ 190°C
VS-85HFR60 DIODE STD REV 600V 85A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	896 재고 있음	1 : ₩21,006.00000 벌크	-	벌크	활성	표준, 역극성	600 V	85A	1.2 V @ 267 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	9 mA @ 600 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-65°C ~ 180°C
VS-70HFL100S05 DIODE STANDARD 1000V 70A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	160 재고 있음	1 : ₩23,208.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	1000 V	70A	1.85 V @ 219.8 A	고속 회복 =< 500ns, > 200mA(Io)	500 ns	100 µA @ 1000 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-40°C ~ 125°C
VS-70HF10 DIODE STANDARD 100V 70A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	193 재고 있음	1 : ₩8,204.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	100 V	70A	1.35 V @ 220 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	15 mA @ 100 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-65°C ~ 180°C
VS-1N1206A DIODE STANDARD 600V 12A DO203AA Vishay General Semiconductor - Diodes Division	380 재고 있음	1 : ₩9,953.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	600 V	12A	1.35 V @ 12 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	1 mA @ 600 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AA, DO-4, 스터드	DO-203AA(DO-4)	-65°C ~ 200°C
1N3881 DIODE STANDARD 200V 6A DO4 Navitas Semiconductor, Inc.	182 재고 있음	1 : ₩10,405.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	200 V	6A	1.4 V @ 6 A	고속 회복 =< 500ns, > 200mA(Io)	200 ns	15 µA @ 50 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AA, DO-4, 스터드	DO-4	-65°C ~ 150°C
VS-40HF60 DIODE STANDARD 600V 40A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	164 재고 있음	1 : ₩11,521.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	600 V	40A	1.3 V @ 125 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	9 mA @ 600 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-65°C ~ 190°C
VS-40HFR60 DIODE STD REV 600V 40A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	242 재고 있음	1 : ₩13,632.00000 벌크	-	벌크	활성	표준, 역극성	600 V	40A	1.3 V @ 125 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	9 mA @ 600 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-65°C ~ 190°C
VS-40HF40 DIODE STANDARD 400V 40A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	560 재고 있음	1 : ₩13,753.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	400 V	40A	1.3 V @ 125 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	9 mA @ 400 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-65°C ~ 190°C
VS-40HF80 DIODE STANDARD 800V 40A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	118 재고 있음	1 : ₩14,914.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	800 V	40A	1.3 V @ 125 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	9 mA @ 800 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-65°C ~ 190°C
VS-85HFR20 DIODE STD REV 200V 85A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	580 재고 있음	1 : ₩16,618.00000 벌크	-	벌크	활성	표준, 역극성	200 V	85A	1.2 V @ 267 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	9 mA @ 200 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-65°C ~ 180°C
VS-70HF60 DIODE STANDARD 600V 70A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	190 재고 있음	1 : ₩16,920.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	600 V	70A	1.35 V @ 220 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	9 mA @ 600 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-65°C ~ 150°C
VS-40HF160 DIODE STANDARD 1600V 40A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	294 재고 있음	1 : ₩17,236.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	1600 V	40A	1.5 V @ 125 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	4.5 mA @ 1600 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-65°C ~ 160°C
VS-70HF80 DIODE STANDARD 800V 70A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	132 재고 있음	1 : ₩17,538.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	800 V	70A	1.35 V @ 220 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	9 mA @ 800 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-65°C ~ 150°C
1N2130AR DIODE STANDARD REV 150V 60A DO5 Navitas Semiconductor, Inc.	883 재고 있음	1 : ₩18,488.00000 벌크	-	벌크	활성	표준, 역극성	150 V	60A	1.1 V @ 60 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	10 µA @ 50 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-5	-65°C ~ 200°C
1N1190A DIODE STANDARD 600V 40A DO5 Navitas Semiconductor, Inc.	446 재고 있음	1 : ₩19,348.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	600 V	40A	1.1 V @ 40 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	10 µA @ 50 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-5	-65°C ~ 190°C
VS-85HFR120 DIODE STD REV 1200V 85A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	145 재고 있음	1 : ₩21,218.00000 벌크	-	벌크	활성	표준, 역극성	1200 V	85A	1.2 V @ 267 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	9 mA @ 1200 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-65°C ~ 180°C
VS-85HF120 DIODE STANDARD 1200V 85A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	165 재고 있음	1 : ₩21,549.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	1200 V	85A	1.2 V @ 267 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	9 mA @ 1200 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-65°C ~ 180°C
VS-85HF160 DIODE STANDARD 1600V 85A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	210 재고 있음	1 : ₩26,556.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	1600 V	85A	1.4 V @ 267 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	4.5 mA @ 1600 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-65°C ~ 150°C
MBR8045 DIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5 Navitas Semiconductor, Inc.	205 재고 있음	1 : ₩42,842.00000 벌크	-	벌크	활성	쇼트키	45 V	80A	650 mV @ 80 A	고속 회복 =< 500ns, > 200mA(Io)	-	1 mA @ 45 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-5	-55°C ~ 150°C
VS-12F10 DIODE STANDARD 100V 12A DO203AA Vishay General Semiconductor - Diodes Division	292 재고 있음	1 : ₩7,706.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	100 V	12A	1.26 V @ 38 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	12 mA @ 100 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AA, DO-4, 스터드	DO-203AA(DO-4)	-65°C ~ 175°C
VS-25FR120 DIODE STD REV 1200V 25A DO203AA Vishay General Semiconductor - Diodes Division	110 재고 있음	1 : ₩8,339.00000 벌크	-	벌크	활성	표준, 역극성	1200 V	25A	1.3 V @ 78 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	12 mA @ 1200 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AA, DO-4, 스터드	DO-203AA(DO-4)	-65°C ~ 175°C
VS-80PF80 DIODE STANDARD 800V 80A DO203AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division	130 재고 있음	1 : ₩10,058.00000 벌크	-	벌크	활성	표준	800 V	80A	1.4 V @ 220 A	표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)	-	-	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AB, DO-5, 스터드	DO-203AB(DO-5)	-55°C ~ 180°C
VS-1N3890R DIODE STD REV 100V 12A DO203AA Vishay General Semiconductor - Diodes Division	107 재고 있음	1 : ₩10,511.00000 벌크	-	벌크	활성	표준, 역극성	100 V	12A	1.4 V @ 12 A	고속 회복 =< 500ns, > 200mA(Io)	300 ns	25 µA @ 100 V	-	-	-	섀시, 스터드 실장	DO-203AA, DO-4, 스터드	DO-203AA(DO-4)	-65°C ~ 150°C

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정류기 다이오드의 종류

표준 정류기 다이오드

표준 다이오드(실리콘 PN 접합) 표준 다이오드는 PN 접합을 갖춘 실리콘으로 만들어진 가장 기본적인 유형의 정류기 다이오드입니다. 일반적으로 AC-DC 컨버터, 전력 정류 및 일반 회로 보호에 사용됩니다. 이러한 다이오드는 일반적으로 약 0.7V의 순방향 전압 강하를 가지며 저주파 스위칭에 가장 적합합니다. 역회복 시간(전원을 껐을 때 전도가 멈추는 속도)이 비교적 느리기 때문에 고속 응용 분야에서의 사용이 제한됩니다. 또한 역방향 누설 전류가 낮아 정상 상태 작동에 안정적으로 사용할 수 있습니다.

쇼트키 배리어 다이오드(SBD)
쇼트키 다이오드(SBD)는 기존의 PN 접합 대신 금속-반도체 접합을 사용하므로 스위칭 속도가 빠르고 순방향 전압 강하가 0.2V에서 0.4V 사이로 낮습니다. 따라서 이 제품은 DC-DC 컨버터, 고효율 전원 공급 장치, 전력 손실을 최소화하는 것이 중요한 회로에 이상적입니다. 그러나 SBD의 한 가지 단점은 특히 고온에서 역방향 누설 전류가 더 높다는 것입니다. 이는 정밀 기기나 배터리로 작동하는 기기에 문제가 될 수 있습니다.

슈퍼 배리어 정류기(SBR)
슈퍼 배리어 정류기(SBR)는 표준 다이오드와 쇼트키 다이오드의 장점을 결합한 제품입니다. 이 제품은 SBD와 마찬가지로 순방향 전압 강하가 낮지만, 역방향 누설 전류가 훨씬 낮고 역방향 전압 처리 능력이 향상되었습니다. SBR은 에너지 효율과 열 안정성이 중요한 스위칭 전력 컨버터, 어댑터 및 자동차 전자 장치에 적합합니다. 해당 응용 분야에 주변 온도가 더 높거나 전압 과도 현상이 큰 경우 쇼트키 다이오드보다 이 다이오드가 더 나은 선택인 경우가 많습니다.

애벌랜치 다이오드
애벌랜치 다이오드는 역방향 파괴 모드에서 안정적으로 작동하도록 설계되었으며, 특정 역방향 전압 임계값을 초과하면 전류가 안전하게 전도됩니다. 고장으로 인해 손상될 수 있는 일반 다이오드와 달리, 애벌랜치 다이오드는 이러한 상황을 반복적이고 예측 가능하게 처리하도록 제작되었습니다.

실리콘 카바이드(SiC) 다이오드
SiC 다이오드는 매우 높은 전압(600V 이상)과 극한의 온도(>150°C)를 처리할 수 있는 광대역 밴드갭 소재인 실리콘 카바이드로 제작됩니다. 이 제품은 산업용 컨버터, 전기 자동차 충전기, 태양광 인버터 및 모터 구동기, 특히 빠른 스위칭과 제로 역회복 시간이 필요한 회로에 이상적입니다. 실리콘 기반 다이오드보다 가격이 비싸지만, 높은 전압과 주파수에서 내구성과 효율성이 뛰어나 까다로운 응용 분야에서 장기적으로 가장 좋은 선택이 되는 경우가 많습니다.

정류기 다이오드의 종류

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