SI5915BDC-T1-E3 Vishay Siliconix | 이산 반도체 제품

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사용 가능한 대체품:

직접

Vishay Siliconix

재고 있음: 7,672

단가 : ₩1,205.00000

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제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Vishay Siliconix
계열	TrenchFET®
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	2 P 채널(이중)
FET 특징	논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)	8V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	4A
Rds On(최대) @ Id, Vgs	70m옴 @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id	1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	14nC(8V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	420pF @ 4V
전력 - 최대	3.1W
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-SMD, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지	1206-8 ChipFET™
기준 제품 번호	SI5915