SI4952DY-T1-E3 Vishay Siliconix | 이산 반도체 제품

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사용 가능한 대체품:

유사

Vishay Siliconix

재고 있음: 8,345

단가 : ₩1,578.00000

등가 파라미터

Vishay Siliconix

재고 있음: 0

단가 : ₩702.84200

유사

Infineon Technologies

재고 있음: 14,581

단가 : ₩1,667.00000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Vishay Siliconix
계열	TrenchFET®
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	2 N-Chan(이중)
FET 특징	논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)	25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs	23m옴 @ 7A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	18nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	680pF @ 13V
전력 - 최대	2.8W
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
공급 장치 패키지	8-SOIC
기준 제품 번호	SI4952