SI2302ADS-T1은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

직접


Vishay Siliconix
재고 있음: 126,632
단가 : ₩1,146.00000
규격서

유사


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
재고 있음: 19,873
단가 : ₩694.00000
규격서

유사


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
재고 있음: 22,585
단가 : ₩573.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 23,880
단가 : ₩275.50000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 0
단가 : ₩905.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 32,171
단가 : ₩1,071.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 8,852
단가 : ₩814.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 668
단가 : ₩1,312.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 6,000
단가 : ₩1,840.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 30,160
단가 : ₩920.00000
규격서
N채널 20 V 2.1A(Ta) 700mW(Ta) 표면 실장 SOT-23-3(TO-236)
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SI2302ADS-T1

DigiKey 제품 번호
SI2302ADS-T1-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
SI2302ADS-T1
제품 요약
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 20 V 2.1A(Ta) 700mW(Ta) 표면 실장 SOT-23-3(TO-236)
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
60m옴 @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id
1.2V @ 50µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
300 pF @ 10 V
FET 특징
-
내전력(최대)
700mW(Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
SOT-23-3(TO-236)
패키지/케이스
기준 제품 번호
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단종
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