IRLL110PBF은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

직접


Vishay Siliconix
재고 있음: 8,409
단가 : ₩1,991.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 1,666
단가 : ₩3,333.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 2,724
단가 : ₩1,729.57274
규격서
N채널 100 V 1.5A(Tc) 2W(Ta), 3.1W(Tc) 표면 실장 SOT-223
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IRLL110PBF

DigiKey 제품 번호
IRLL110PBF-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
IRLL110PBF
제품 요약
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 100 V 1.5A(Tc) 2W(Ta), 3.1W(Tc) 표면 실장 SOT-223
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
IRLL110PBF 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
4V, 5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
540m옴 @ 900mA, 5V
Vgs(th)(최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
2W(Ta), 3.1W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
SOT-223
패키지/케이스
기준 제품 번호
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단종
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