VS-GA100TS60SF Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 이산 반도체 제품

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사용 가능한 대체품:

유사

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

재고 있음: 13

단가 : ₩124,417.00000

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VS-GA100TS60SF
DigiKey 제품 번호	VS-GA100TS60SF-ND
제조업체	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
제조업체 제품 번호	VS-GA100TS60SF
제품 요약	IGBT MODULE 600V 220A INT-A-PAK
고객 참조 번호
제품 세부 정보	IGBT 모듈 PT 하프브리지 600 V 220 A 780 W 섀시 실장 INT-A-PAK
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 IGBT IGBT 모듈
제조업체	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
계열	-
포장	벌크
부품 현황	단종
IGBT 유형	PT
구성	하프브리지
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)	600 V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)	220 A
전력 - 최대	780 W
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	1.28V @ 15V, 100A
전류 - 콜렉터 차단(최대)	1 mA
입력 정전 용량(Cies) @ Vce	16.25 nF @ 30 V
입력	표준
NTC 서미스터	없음
작동 온도	-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형	섀시 실장
패키지/케이스	INT-A-Pak
공급 장치 패키지	INT-A-PAK
기준 제품 번호	GA100