Name: TW070J120B,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW070J120BS1Q-ND
Price: 30179.12 KRW
Availability: OutOfStock

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TW070J120B,S1Q
DigiKey 제품 번호	264-TW070J120BS1Q-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TW070J120B,S1Q
제품 요약	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
제조업체 표준 리드 타임	15주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 1200 V 36A(Tc) 272W(Tc) 스루홀 TO-3P(N)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TW070J120B,S1Q 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	-
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	36A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	20V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	90m옴 @ 18A, 20V
Vgs(th)(최대) @ Id	5.8V @ 20mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	67 nC @ 20 V
Vgs(최대)	±25V, -10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1680 pF @ 800 V
FET 특징	-
내전력(최대)	272W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-3P(N)
패키지/케이스	TO-3P-3, SC-65-3
기준 제품 번호	TW070J120