Name: TPH2R408QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R408QMLQTR-ND
Price: 1013.8636 KRW
Availability: OutOfStock

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TPH2R408QM,LQ
DigiKey 제품 번호	264-TPH2R408QMLQTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TPH2R408QM,LQ
제품 요약	80V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 2.4
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 80 V 200A(Ta), 120A(Tc) 3W(Ta), 210W(Tc) 표면 실장 8-SOP Advance(5x5)
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	80 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	200A(Ta), 120A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	2.43m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	8300 pF @ 40 V
FET 특징	-
내전력(최대)	3W(Ta), 210W(Tc)
작동 온도	175°C
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	8-SOP Advance(5x5)
패키지/케이스	8-PowerVDFN