Name: TK10J80E,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10J80ES1E-ND
Price: 6891 KRW
Availability: InStock

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TK10J80E,S1E
DigiKey 제품 번호	TK10J80ES1E-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK10J80E,S1E
제품 요약	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 800 V 10A(Ta) 250W(Tc) 스루홀 TO-3P(N)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TK10J80E,S1E 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	π-MOSVIII
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	800 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	10A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	1옴 @ 5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2000 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	250W(Tc)
작동 온도	150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-3P(N)
패키지/케이스	TO-3P-3, SC-65-3
기준 제품 번호	TK10J80