Name: CSD19538Q2R
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD19538Q2RTR-ND
Price: 413.4227 KRW
Availability: OutOfStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

CSD19538Q2R
DigiKey 제품 번호	296-CSD19538Q2RTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Texas Instruments
제조업체 제품 번호	CSD19538Q2R
제품 요약	100-V, N CHANNEL NEXFET POWER MO
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 4.6A(Ta), 13.1A(Tc) 2.5W(Ta), 20.2W(Tc) 표면 실장 6-WSON(2x2)
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Texas Instruments
계열	NexFET™
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	4.6A(Ta), 13.1A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	59m옴 @ 5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	5.6 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	454 pF @ 50 V
FET 특징	-
내전력(최대)	2.5W(Ta), 20.2W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	6-WSON(2x2)
패키지/케이스	6-WDFN 노출형 패드