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유사

AOTF190A60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
재고 있음: 496
단가 : ₩7,397.00000
규격서

유사

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
재고 있음: 570
단가 : ₩5,387.00000
규격서

유사

IXFP22N65X2M
IXYS
재고 있음: 276
단가 : ₩8,795.00000
규격서

유사

R6020ENX
Rohm Semiconductor
재고 있음: 456
단가 : ₩6,638.00000
규격서

유사

SPA20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
재고 있음: 589
단가 : ₩6,295.00000
규격서

유사

STF23NM60ND
STMicroelectronics
재고 있음: 0
단가 : ₩4,236.45400
규격서

유사

STF24NM60N
STMicroelectronics
재고 있음: 984
단가 : ₩6,548.00000
규격서

유사

TK16A60W5,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 86
단가 : ₩5,283.00000
규격서
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TO-220F
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FCPF165N65S3L1

DigiKey 제품 번호
FCPF165N65S3L1-ND
제조업체
onsemi
제조업체 제품 번호
FCPF165N65S3L1
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 19A(Tc) 35W(Tc) 스루홀 TO-220F-3
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
onsemi
계열
SuperFET® III
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
19A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
165m옴 @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 1.9mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1415 pF @ 400 V
FET 특징
-
내전력(최대)
35W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-220F-3
패키지/케이스
TO-220-3 풀팩(Full Pack)
기준 제품 번호
FCPF165
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발송지: Rochester Electronics, LLC