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보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
G2R1000MT33J | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | 1242-G2R1000MT33J-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | G2R1000MT33J |
제품 요약 | SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 |
제조업체 표준 리드 타임 | 20주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 3300 V 4A(Tc) 74W(Tc) 표면 실장 TO-263-7 |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | G2R1000MT33J 모델 |
제품 특성
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
|---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | ||
계열 | ||
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 활성 | |
FET 유형 | ||
기술 | ||
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 3300 V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | ||
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 20V | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 2A, 20V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 3.5V @ 2mA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 21 nC @ 20 V | |
Vgs(최대) | +20V, -5V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 238 pF @ 1000 V | |
FET 특징 | - | |
내전력(최대) | 74W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
공급 장치 패키지 | TO-263-7 | |
패키지/케이스 | ||
기준 제품 번호 |
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수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩27,815.00000 | ₩27,815 |
| 10 | ₩25,151.30000 | ₩251,513 |
| 25 | ₩24,154.12000 | ₩603,853 |
| 100 | ₩22,725.57000 | ₩2,272,557 |
| 250 | ₩21,832.54000 | ₩5,458,135 |
| 500 | ₩21,177.71400 | ₩10,588,857 |
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