이산 반도체 제품 | 단일 FET, MOSFET
제조업체 부품 번호 | 주문 가능 수량 | 가격 | 계열 | 포장 | 제품 현황 | FET 유형 | 기술 | 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(th)(최대) @ Id | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | FET 특징 | 내전력(최대) | 작동 온도 | 등급 | 인증 | 실장 유형 | 공급 장치 패키지 | 패키지/케이스 | |
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70,509 재고 있음 | 1 : ₩541.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩149.46367 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | P채널 | MOSFET(금속 산화물) | 30 V | 4.3A(Ta) | 4.5V, 10V | 50m옴 @ 6A, 10V | 2.1V @ 250µA | 11.8 nC @ 10 V | ±25V | 642 pF @ 25 V | - | 1.38W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 표면 실장 | SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ||
128,436 재고 있음 | 1 : ₩693.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩193.57200 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | P채널 | MOSFET(금속 산화물) | 30 V | 4.3A(Ta) | 4.5V, 10V | 45m옴 @ 5A, 10V | 2.1V @ 250µA | 21.1 nC @ 10 V | ±20V | 948 pF @ 25 V | - | 1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 표면 실장 | SOT-26 | SOT-23-6 | ||
3,000 재고 있음 9,000 공장 | 1 : ₩749.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩212.13467 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | P채널 | MOSFET(금속 산화물) | 30 V | 4.3A(Ta) | 4.5V, 10V | 45m옴 @ 5A, 10V | 2.1V @ 250µA | 21.1 nC @ 10 V | ±20V | 948 pF @ 25 V | - | 1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 자동차 | AEC-Q101 | 표면 실장 | SOT-26 | SOT-23-6 | ||
9,172 재고 있음 | 1 : ₩860.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩251.87200 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | P채널 | MOSFET(금속 산화물) | 30 V | 7.1A(Ta) | 4.5V, 10V | 45m옴 @ 6A, 10V | 2.1V @ 250µA | 6.8 nC @ 4.5 V | ±20V | 722 pF @ 25 V | - | 2.5W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 표면 실장 | 8-SOP | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ||
2,300 재고 있음 | 1 : ₩832.00000 컷 테이프(CT) 2,500 : ₩241.24200 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | P채널 | MOSFET(금속 산화물) | 30 V | 4.9A(Ta) | 4.5V, 10V | 45m옴 @ 6A, 10V | 2.1V @ 250µA | 17.3 nC @ 10 V | ±20V | 969 pF @ 15 V | - | 1.2W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 자동차 | AEC-Q101 | 표면 실장 | 8-SO | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ||
0 재고 있음 20,000 공장 리드 타임 확인 | 10,000 : ₩129.63060 테이프 및 릴(TR) | - | 테이프 및 릴(TR) | 활성 | P채널 | MOSFET(금속 산화물) | 30 V | 4.3A(Ta) | 4.5V, 10V | 50m옴 @ 6A, 10V | 2.1V @ 250µA | 11.8 nC @ 10 V | ±25V | 642 pF @ 25 V | - | 1.38W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 표면 실장 | SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ||
0 재고 있음 | 활성 | - | 테이프 및 릴(TR) | 활성 | P채널 | MOSFET(금속 산화물) | 30 V | 4.3A(Ta) | 4.5V, 10V | 50m옴 @ 6A, 10V | 2.1V @ 250µA | 11.8 nC @ 10 V | ±25V | 642 pF @ 25 V | - | 1.38W | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | - | - | - | ||
0 재고 있음 | 활성 | - | 테이프 및 릴(TR) | 활성 | P채널 | MOSFET(금속 산화물) | 30 V | 4.3A(Ta) | 4.5V, 10V | 50m옴 @ 6A, 10V | 2.1V @ 250µA | 11.8 nC @ 10 V | ±25V | 642 pF @ 25 V | - | 1.38W | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | - | - | - |