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콤팩트한 QFN 8x8 패키지의 650V 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드
고성능 전력 전자 응용 제품에 최적화된 Wolfspeed의 실리콘 카바이드(SiC) 650V 쇼트키 다이오드 기술
Wolfspeed 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 장벽 다이오드의 성능 이점 덕분에 전력 전자 시스템은 Si 기반 솔루션보다 더 높은 효율 표준을 충족하고 더 높은 주파수와 출력 밀도에 도달할 수 있습니다. SiC 다이오드는 열폭주에 대한 우려 없이 다양한 응용 제품 요구 사항을 충족하도록 쉽게 병렬화할 수 있습니다. SiC 제품의 냉각 요구 사항이 줄어들고 열 성능이 개선됨에 따라 SiC 다이오드는 다양한 응용 분야에서 전체 시스템 비용을 낮출 수 있습니다.
특징
- 낮은 순방향 전압(VF) 저하(정비례 온도 계수)
- 제로 역회복 전류/순방향 회복 전압
- 온도에 영향을 받지 않는 스위칭 동작
- 높이가 낮은 패키지(낮은 유도 용량)
이점
- 낮은 전도 손실로 시스템 효율성 향상
- 높은 스위칭 주파수 작동 가능
- 시스템 레벨 출력 밀도 향상
- 시스템 크기, 무게 및 냉각 요구 사항 감소
응용 분야
- 엔터프라이즈 전력, 서버 및 통신 전원 공급 장치
- 스위치 모드 전원 공급 장치
- 산업 전원 공급 장치
- 강화된 역률 보정
- 부트스트랩 다이오드
- LLC 클램핑
650 V Silicon Carbide Schottky Diodes in Compact QFN 8x8 Package
이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 세부 정보 보기 | |
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![]() | ![]() | C6D08065Q-TR | 8A 650V SIC SCHOTTKY QFN | 0 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | C6D10065Q-TR | 10A 650V SIC SCHOTTKY QFN | 187 - 즉시 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | C6D06065Q-TR | 6A 650V SIC SCHOTTKY QFN | 2671 - 즉시 | 세부 정보 보기 |
게시 날짜: 2022-02-01