650 V, SuperFET® III MOSFET

동일한 패키지 크기에 더 높은 출력 밀도와 40% 이상 더 낮은 Rds(on)를 갖는 ON Semiconductor의 650V, SuperFET® III MOSFET

Fairchild Semiconductor 650V, SuperFET® III MOSFET 이미지ON Semiconductor의 650V, SuperFET III 계열은 고출력 밀도를 위해 특별히 설계된 고성능 초접합 MOSFET을 제공합니다. SuperFET III technology는 기존의 업계 선도적인 기술과 비교하여 동일한 패키지 크기에서 40% 이상의 RDS(ON)를 낮추어, 제품 설계자가 패키지 크기를 줄이거나 동일한 실장 면적에서 전력을 향상시킬 수 있도록 합니다.

특징 응용 분야
  • 더 높은 시스템 효율을 위한 최고 수준의 FOM 및 Eoss
  • 고급 충전 밸런싱 기술
  • 더 낮은 게이트 발진 및 EMI를 통한 균형이 잡힌 스위칭 동작
  • 최고 수준의 견고한 바디 다이오드
  • 최저 Rsp로 상시 구동이 쉬운 MOSFET
  • 서버
  • 전기 통신 시스템
  • EV 충전기
  • 산업용 시스템

650 V, SuperFET® III MOSFETs

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업데이트: 2019-01-10
게시 날짜: 2016-09-27