제품 색인 > 이산 소자 반도체 제품 > 트랜지스터 - IGBT - 모듈

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제조업체 계열 부품 현황 IGBT 유형 구성 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전력 - 최대 Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 전류 - 콜렉터 차단(최대) 입력 정전 용량(Cies) @ Vce 입력 NTC 서미스터 작동 온도 실장 유형 패키지/케이스 공급 장치 패키지
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계열 부품 현황 IGBT 유형 구성 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전력 - 최대 Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 전류 - 콜렉터 차단(최대) 입력 정전 용량(Cies) @ Vce 입력 NTC 서미스터 작동 온도 실장 유형 패키지/케이스 공급 장치 패키지
   
IXXN110N65B4H1 Datasheet IXXN110N65B4H1 - IXYS IXXN110N65B4H1-ND IGBT 650V 215A 750W SOT227B 219 - 즉시
29,055.00000 1 GenX4™, XPT™ 유효 PT 단일 650V 215A 750W 2.1V @ 15V, 110A 50µA 3.65nF @ 25V 표준 없음 -55°C ~ 175°C(TJ) 섀시 실장 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXGN320N60A3 Datasheet IXGN320N60A3 - IXYS IXGN320N60A3-ND IGBT 600V SOT-227B 159 - 즉시
35,871.00000 1 GenX3™ 유효 PT 단일 600V 320A 735W 1.25V @ 15V, 100A 150µA 18nF @ 25V 표준 없음 -55°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXDN55N120D1 Datasheet IXDN55N120D1 - IXYS IXDN55N120D1-ND IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B 454 - 즉시
39,190.00000 1
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유효 NPT 단일 1200V 100A 450W 2.8V @ 15V, 55A 3.8mA 3.3nF @ 25V 표준 없음 -40°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
APT75GP120JDQ3 Datasheet APT75GP120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GP120JDQ3-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 806 - 즉시
56,411.00000 1 POWER MOS 7® 유효 PT 단일 1200V 128A 543W 3.9V @ 15V, 75A 1.25mA 7.04nF @ 25V 표준 없음 -55°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 ISOTOP ISOTOP®
APT150GN120JDQ4 Datasheet APT150GN120JDQ4 - Microsemi Corporation APT150GN120JDQ4-ND IGBT 1200V 215A 625W SOT227 111 - 즉시
67,249.00000 1
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유효 트렌치 필드 스톱 단일 1200V 215A 625W 2.1V @ 15V, 150A 300µA 9.5nF @ 25V 표준 없음 -55°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP®
MG12150S-BN2MM Datasheet MG12150S-BN2MM - Littelfuse Inc. F6498-ND IGBT 1200V 200A 625W PKG S 45 - 즉시
115,567.00000 1
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유효 트렌치 필드 스톱 하프브리지 1200V 200A 625W 1.7V @ 15V, 150A(일반) 1mA 10.5nF @ 25V 표준 없음 -40°C ~ 125°C(TJ) 섀시 실장 S-3 모듈 S3
APTGT600A60G Datasheet APTGT600A60G - Microsemi Corporation APTGT600A60G-ND POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 159 - 즉시
217,181.00000 1
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유효 트렌치 필드 스톱 하프브리지 600V 700A 2300W 1.8V @ 15V, 600A 750µA 49nF @ 25V 표준 없음 -40°C ~ 175°C(TJ) 섀시 실장 SP6 SP6
APTGT600U170D4G Datasheet APTGT600U170D4G - Microsemi Corporation APTGT600U170D4G-ND IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4 49 - 즉시
224,904.00000 1
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유효 트렌치 필드 스톱 단일 1700V 1100A 2900W 2.4V @ 15V, 600A 1mA 51nF @ 25V 표준 없음 -40°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 D4 D4
STGE200NB60S Datasheet STGE200NB60S - STMicroelectronics 497-6731-5-ND IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP 211 - 즉시
35,693.00000 1 PowerMESH™ 유효
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단일 600V 200A 600W 1.6V @ 15V, 100A 500µA 1.56nF @ 25V 표준 없음 -55°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 ISOTOP ISOTOP
VS-50MT060WHTAPBF Datasheet VS-50MT060WHTAPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-50MT060WHTAPBF-ND IGBT 600V 114A 658W MTP 136 - 즉시
73,721.00000 1
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유효
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하프브리지 600V 114A 658W 3.2V @ 15V, 100A 400µA 7.1nF @ 30V 표준 없음 -40°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 12-MTP 모듈 MTP
MG06200S-BN4MM Datasheet MG06200S-BN4MM - Littelfuse Inc. F6493-ND IGBT 600V 300A 600W PKG S 90 - 즉시
120,303.00000 1
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유효
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하프브리지 600V 300A 600W 1.45V @ 15V, 200A(일반) 1mA 13nF @ 25V 표준 없음 -40°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 S-3 모듈 S3
APTGF75H120TG Datasheet APTGF75H120TG - Microsemi Corporation APTGF75H120TG-ND POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4 28 - 즉시
136,158.00000
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기존 설계 전용 NPT 풀 브리지 인버터 1200V 100A 500W 3.7V @ 15V, 75A 250µA 5.1nF @ 25V 표준 있음
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섀시 실장 SP4 SP4
APT75GN120JDQ3 Datasheet APT75GN120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GN120JDQ3-ND IGBT 1200V 124A 379W SOT227 119 - 즉시
41,909.00000 1
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유효 트렌치 필드 스톱 단일 1200V 124A 379W 2.1V @ 15V, 75A 200µA 4.8nF @ 25V 표준 없음 -55°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 ISOTOP ISOTOP®
APT200GN60J Datasheet APT200GN60J - Microsemi Corporation APT200GN60J-ND IGBT 600V 283A 682W SOT227 349 - 즉시
43,199.00000 1
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유효 트렌치 필드 스톱 단일 600V 283A 682W 1.85V @ 15V, 200A 25µA 14.1nF @ 25V 표준 없음 -55°C ~ 175°C(TJ) 섀시 실장 ISOTOP ISOTOP®
APT100GT120JU2 Datasheet APT100GT120JU2 - Microsemi Corporation APT100GT120JU2-ND IGBT 1200V 140A 480W SOT227 515 - 즉시
43,429.00000 1
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유효 트렌치 필드 스톱 단일 1200V 140A 480W 2.1V @ 15V, 100A 5mA 7.2nF @ 25V 표준 없음 -55°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 ISOTOP SOT-227
APT75GP120J Datasheet APT75GP120J - Microsemi Corporation APT75GP120J-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 135 - 즉시
52,479.00000 1 POWER MOS 7® 유효 PT 단일 1200V 128A 543W 3.9V @ 15V, 75A 1mA 7.04nF @ 25V 표준 없음 -55°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 ISOTOP ISOTOP®
APT100GT120JRDQ4 Datasheet APT100GT120JRDQ4 - Microsemi Corporation APT100GT120JRDQ4-ND IGBT 1200V 123A 570W SOT227 178 - 즉시
66,381.00000 1 Thunderbolt IGBT® 유효 NPT 단일 1200V 123A 570W 3.7V @ 15V, 100A 200µA 7.85nF @ 25V 표준 없음 -55°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 ISOTOP ISOTOP®
APTGFQ25H120T2G Datasheet APTGFQ25H120T2G - Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G-ND IGBT 1200V 40A 227W MODULE 159 - 즉시
75,138.00000
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기존 설계 전용 NPT 및 시야 조리개 풀브리지 1200V 40A 227W 2.1V @ 15V, 25A 250µA 2.02nF @ 25V 표준 있음
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스루홀 SP2 SP2
VS-GA250SA60S Datasheet VS-GA250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA250SA60SGI-ND IGBT 600V 400A SOT227 124 - 즉시
100,529.00000 1
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유효
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단일 600V 400A 961W 1.66V @ 15V, 200A 1mA 16.25nF @ 30V 표준 없음 -40°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 SOT-227-4 SOT-227
APT60GF120JRDQ3 Datasheet APT60GF120JRDQ3 - Microsemi Corporation APT60GF120JRDQ3-ND IGBT 1200V 149A 625W SOT227 31 - 즉시
104,984.00000 1
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유효 NPT 단일 1200V 149A 625W 3V @ 15V, 100A 350µA 7.08nF @ 25V 표준 없음 -55°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 ISOTOP ISOTOP®
MG06150S-BN4MM Datasheet MG06150S-BN4MM - Littelfuse Inc. F6492-ND IGBT 600V 225A 500W PKG S 98 - 즉시
106,376.00000 1
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유효
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하프브리지 600V 225A 500W 1.45V @ 15V, 150A(일반) 1mA 9.3nF @ 25V 표준 없음 -40°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 S-3 모듈 S3
MG12150D-BA1MM Datasheet MG12150D-BA1MM - Littelfuse Inc. F6480-ND IGBT 1200V 210A 1100W PKG D 56 - 즉시
149,485.00000 1
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유효
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하프브리지 1200V 210A 1100W 1.8V @ 15V, 150A(일반) 1mA 11nF @ 25V 표준 없음 -40°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 모듈 D3
APTGL475U120D4G Datasheet APTGL475U120D4G - Microsemi Corporation APTGL475U120D4G-ND IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4 77 - 즉시
153,315.00000 1
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유효 트렌치 필드 스톱 단일 1200V 610A 2082W 2.2V @ 15V, 400A 4mA 24.6nF @ 25V 표준 없음 -40°C ~ 175°C(TJ) 섀시 실장 D4 D4
MG12200D-BA1MM Datasheet MG12200D-BA1MM - Littelfuse Inc. F6481-ND IGBT 1200V 300A 1400W PKG D 31 - 즉시
159,162.00000 1
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유효
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하프브리지 1200V 300A 1400W 1.8V @ 15V, 200A(일반) 1mA 14.9nF @ 25V 표준 없음 -40°C ~ 150°C(TJ) 섀시 실장 모듈 D3
APTGL475A120D3G Datasheet APTGL475A120D3G - Microsemi Corporation APTGL475A120D3G-ND POWER MOD IGBT4 PHASE LEG D3 32 - 즉시
227,572.00000 1
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유효 트렌치 필드 스톱 하프브리지 1200V 610A 2080W 2.2V @ 15V, 400A 5mA 24.6nF @ 25V 표준 없음 -40°C ~ 175°C(TJ) 섀시 실장 D-3 모듈 D3
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